[发明专利]一种强磁性薄膜介质及其制备方法

权利要求书

1.一种强磁性薄膜介质，其特征在于：所述薄膜介质为衬底材料上缓冲层、永磁薄膜及保护层的叠层结构。

2.根据权利要求1所述的一种强磁性薄膜介质，其特征在于：所述永磁薄膜为厚度介于10nm～1cm的钕铁硼薄膜、钐钴薄膜、铝镍钴薄膜，或上述该些的叠层薄膜。

3.根据权利要求1所述的一种强磁性薄膜介质，其特征在于：所述缓冲层为厚度介于5nm～100μm的Ti、Cr、Ta、Mo之一的膜体材料。

4.根据权利要求1所述的一种强磁性薄膜介质，其特征在于：所述保护层为厚度介于1nm～10μm的SiO₂、SiN、Cr、Ta之一的膜体材料。

5.权利要求1所述一种强磁性薄膜介质的制备方法，其特征在于包括步骤：I、制备清洁、干燥的Si衬底，并在衬底表面生长制备缓冲层；II、真空条件下采用掩膜生长法或生长烧蚀法在缓冲层上依次制备具几何形状的永磁薄膜和保护层，III、利用充磁机对薄膜介质进行磁化充磁。

6.根据权利要求5所述的一种强磁性薄膜介质的制备方法，其特征在于：步骤II中所述掩膜生长法所采用的掩膜板为具特定几何形状且厚度介于10μm～1cm的钼或不锈钢。

7.根据权利要求5所述的一种强磁性薄膜介质的制备方法，其特征在于：步骤II中所述生长烧蚀法指的是先在缓冲层上生长永磁薄膜，再在永磁薄膜上室温生长保护层，继而通过激光烧蚀得到具特定几何形状的薄膜。

8.根据权利要求5所述的一种强磁性薄膜介质的制备方法，其特征在于：步骤I和步骤II中薄膜介质生长采用包括磁控溅射法、电子束蒸发法或脉冲激光沉积法制备，且本底真空度优于1×10^-4Pa。