[发明专利]应用于多种控制模式的马达控制电路有效

专利信息
申请号: 201010165704.6 申请日: 2010-05-05
公开(公告)号: CN102237850A 公开(公告)日: 2011-11-09
发明(设计)人: 洪赞富 申请(专利权)人: 普诚科技股份有限公司
主分类号: H02P29/00 分类号: H02P29/00
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;王璐
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 应用于 多种 控制 模式 马达 控制电路
【权利要求书】:

1.一种应用于多种控制模式的马达控制电路,其特征在于,包括:

一马达驱动模块,用以驱动一马达;

一逻辑控制电路,耦合至该马达驱动模块,用以控制该马达驱动模块的一操作模式;

多个开关模块,耦合于该马达驱动模块与该逻辑控制电路之间,其中该逻辑控制电路通过所述多个开关模块控制该马达驱动模块的操作模式;及

一运算放大器,耦合于所述多个开关模块与该马达驱动模块之间,用以放大自所述多个开关模块所输出的电压或电流;

其中该马达驱动模块的操作模式包括一定电流模式、一定电压模式以及一全摆幅模式。

2.根据权利要求1所述的应用于多种控制模式的马达控制电路,其特征在于,所述多个开关模块包括:

一第一开关模块,该第一开关模块的一第一端耦接于一定电压参考电源,该第一开关模块的一第二端耦接于该运算放大器的一负输入端,该第一开关模块的一第三端耦接于该马达驱动模块的一电压取样端;

一第二开关模块,该第二开关模块的一第一端耦接于一定电流参考电源,该第二开关模块的一第二端耦接于该运算放大器的一正输入端,该第二开关模块的一第三端耦接于该马达驱动模块的一第一驱动端,且该第二开关模块的一第四端耦接于该马达驱动模块的一第二驱动端;

一第三开关模块,该第三开关模块的一第一端耦接于该运算放大器的一输出端,该第三开关模块的一第二端耦接于该马达驱动模块的一第一晶体管控制端,该第三开关模块的一第三端耦接于该马达驱动模块的一第二晶体管控制端;及

一第四开关模块,该第四开关模块的一第一端耦接于该运算放大器的该输出端,该第四开关模块的一第二端耦接于该马达驱动模块的一第三晶体管控制端,该第四开关模块的一第三端耦接于该马达驱动模块的一第四晶体管控制端;

其中该马达的一第一端耦接于该马达驱动模块的该第一驱动端,该马达的一第二端耦接于该马达驱动模块的该第二驱动端,且该马达驱动模块以该第一驱动端与该第二驱动端之间的电位差来驱动该马达;

其中该逻辑控制电路的一第一控制端耦接于该马达驱动模块的该第一晶体管控制端,该逻辑控制电路的一第二控制端耦接于该马达驱动模块的该第二晶体管控制端,该逻辑控制电路的一第三控制端耦接于该马达驱动模块的该第三晶体管控制端,该逻辑控制电路的一第四控制端耦接于该马达驱动模块的该第四晶体管控制端;

其中该逻辑控制电路的一第一开关端耦接于该第一开关模块的一开关控制端,该逻辑控制电路的一第二开关端耦接于该第二开关模块的一开关控制端,该逻辑控制电路的一第三开关端耦接于该第三开关模块的一开关控制端,该逻辑控制电路的一第四开关端耦接于该第四开关模块的一开关控制端。

3.根据权利要求2所述的应用于多种控制模式的马达控制电路,其特征在于,一取样电阻的一第一端耦接于该第一开关模块的该第三端及该马达驱动模块的该电压取样端,且该取样电阻的一第二端接地。

4.根据权利要求2所述的应用于多种控制模式的马达控制电路,其特征在于,该马达驱动模块还包括:

一第一P型金属氧化物半导体晶体管,该第一P型金属氧化物半导体晶体管的栅极耦接于该马达驱动模块的该第一晶体管控制端,该第一P型金属氧化物半导体晶体管的源极耦接于一马达驱动电源,且该第一P型金属氧化物半导体晶体管的漏极耦接于该马达驱动模块的该第一驱动端;

一第一N型金属氧化物半导体晶体管,该第一N型金属氧化物半导体晶体管的栅极耦接于该马达驱动模块的该第二晶体管控制端,该第一N型金属氧化物半导体晶体管的漏极耦接于该第一P型金属氧化物半导体晶体管的漏极,且该第一N型金属氧化物半导体晶体管的源极耦接于该马达驱动模块的该电压取样端;

一第二P型金属氧化物半导体晶体管,该第二P型金属氧化物半导体晶体管的栅极耦接于该马达驱动模块的该第三晶体管控制端,该第二P型金属氧化物半导体晶体管的源极耦接于该第一P型金属氧化物半导体晶体管的源极,且该第二P型金属氧化物半导体晶体管的漏极耦接于该马达驱动模块的该第二驱动端;及

一第二N型金属氧化物半导体晶体管,该第二N型金属氧化物半导体晶体管的栅极耦接于该马达驱动模块的该第四晶体管控制端,该第二N型金属氧化物半导体晶体管的漏极耦接于该第二P型金属氧化物半导体晶体管的漏极,且该第二N型金属氧化物半导体晶体管的源极耦接于该第一N型金属氧化物半导体晶体管的源极。

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