[发明专利]太阳能电池无效

专利信息
申请号: 201010160056.5 申请日: 2010-04-29
公开(公告)号: CN102237428A 公开(公告)日: 2011-11-09
发明(设计)人: 黄歆斐;江国丰;黄正杰 申请(专利权)人: 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司;沛鑫能源科技股份有限公司
主分类号: H01L31/052 分类号: H01L31/052;H01L31/048;H01L31/18
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201600 上海市松江区*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 太阳能电池
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种电池,尤其涉及一种太阳能电池。

背景技术

太阳能作为一种清洁,无污染的能源,已经越来越受到大众欢迎。然而,现有太阳能电池由于成本高、太阳能的利用效率低等原因而未能大规模普及。为提高太阳能利用效率,现有太阳能电池多采用聚光透镜将分散的太阳能汇聚后投射至太阳能芯片。太阳能电池多采用多个太阳能芯片呈矩阵排列,同时设置多个对应于所述太阳能芯片聚光透镜,分别将汇聚的太阳能投射至对应太阳能芯片,但是,在太阳能电池组装时需要每一聚光透镜与对应太阳能芯片之间分别对准,如果出现偏差,将严重影响太阳能电池的光电转换效率,同时将聚光透镜与对应太阳能镜片之间对准本身既费时又费力,导致太阳能电池的生产效率偏低。

发明内容

有鉴于此,有必要提供一种高组装效率以及高对准精度的太阳能电池。

一种太阳能电池,其包括一个基座,一个设置于所述基座内的电路板,多个设置于所述电路板表面的太阳能芯片,以及一个封闭所述太阳能芯片于所述基座内的盖体。所述盖体包括与所述多个太阳能芯片对应的多个聚光部以及与所述多个聚光部对应的多个延伸部。所述聚光部用于汇聚入射光至所述对应的太阳能芯片。所述延伸部自所述盖体的表面延伸至对应的太阳能芯片,用于将对应的聚光部以及太阳能芯片对准。

由于所述太阳能电池采用对应于所述聚光部且延伸至对应的太阳能芯片的延伸部,所述太阳能芯片可以依据与所述延伸部之间的相对位置与所述聚光部进行对准,因此所述延伸部可以作为所述对应的太阳能芯片对准的参照,以简化组装过程,提高太阳能电池的组装精度。

附图说明

图1是本发明实施例提供的太阳能电池的分解图。

图2是图1的太阳能电池的另一分解图,其相对图1的太阳能电池被翻转180度。

图3是图1的太阳能电池组装完成后的结构图。

图4是图3的太阳能电池沿IV-IV方向的剖视图。

主要元件符号说明

太阳能电池            100

基座                  10

容置槽                101

台阶部                11

平面部                111

弧形部                112

电路板                20

太阳能芯片            30

盖体                  40

平板部                41

第一表面              411

第二表面              412

聚光部                42

延伸部                43

对位槽                431

反射膜                432

具体实施方式

下面将结合附图对本发明作一具体介绍。

请参阅图1及图2,所示为本发明实施例提供的太阳能电池100的结构分解图。所述太阳能电池100包括一个基座10,一个设置于所述基座10内的电路板20,多个设置于所述电路板20表面的太阳能芯片30,以及一个封闭所述太阳能芯片30于所述基座10内的盖体40。

所述基座10开设有一个容置槽101,用于收容所述电路板20以及所述太阳能芯片30。所述容置槽101的内侧壁形成有两个台阶部11。本实施方式中,所述容置槽101为一个方形凹槽,所述台阶部11形成于所述容置槽101两个相对的内侧壁上。所述台阶部11包括多个相互间隔的平面部111和弧形部112。该多个弧形部112均向所述容置槽101的底面倾斜。

所述电路板20用于将所述太阳能芯片30固定于其表面,所述电路板20内设置有分别与所述太阳能芯片30电连接,用于传导电流的电路系统(图未示)。

所述太阳能芯片30用于将照射至其上的太阳能转换为电能,所述太阳能芯片30可以采用晶硅、非晶硅、多元化合物薄膜、纳米结晶等类型的太阳能芯片。所述太阳能芯片30光电转换产生的电流可以自所述电路系统传导至其它电子设备,实现对电能的利用或存储。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士迈半导体精密工业(上海)有限公司;沛鑫能源科技股份有限公司,未经富士迈半导体精密工业(上海)有限公司;沛鑫能源科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010160056.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top