[发明专利]一种大功率LED基板生产工艺

说明书

技术领域：

本发明涉及电光源产品的制造技术，尤其涉及一种大功率LED基板生产工艺。

背景技术：

LED来自英文LIGHT EMITTING DIODE的缩写，意为发光二极管。最简单的发光二极管的结构包括，P-型半导体、N-型半导体及两者之间所形成的PN结，当电流通过二极管时，在上述PN结处，便产生电荷载子，即电子与空穴，电子与空穴结合并以光子的形式释放出能量。在PN结处加入特定的化学物，则可使二极管发出特定颜色的光，如加入氮化铟镓(lnGaN)可产生蓝光，加入氮化镓(GaN)可产生绿光等。LED具有寿命长、省电、耐用、牢靠、反应快、低废热和适合于批量生产等优点，所以自发光二极管的发明以来，该产业迅速膨胀发展，逐步取代灯饰行业中的传统钨丝灯和荧光灯。

LED光源在照明领域中逐步得到应用，所需的亮度要求在不断提高，目前解决的方法是增大LED光源的驱动电流和增大LED光源管芯面积等，也就是功率LED光源。自从1998年世界上第一个大功率LED被封装出来开始，使LED器件从以前的指示灯应用变成可以替代传统照明的新型固体光源，引发了人类历史上继白炽灯发明以来的又一场照明革命。大功率由于芯片的功率密度很高，器件的设计和制造者必须在结构和材料等方面对器件的热系统进行优化设计。从实际应用的角度来看：安装使用简单、体积相对较小的大功率LED器件在大部分的照明应用中必将取代传统的小功率LED器件。其好处是非常明显的，小功率的LED组成的照明灯具为了达到照明的需要，必须集中许多个LED的光能才能达到设计要求。带来的缺点是线路异常复杂，为了平衡各个LED之间的电流电压关系必需设计复杂的供电电路，随着电流密度的剧增将会使LED光源发热显著增长，散热不畅。LED光源P-N结上的热量如果不能及时散去，将引起结温的升高，结温的升高将导致LED光源发光效率的降低、发光强度的减弱及衰减的加速。相比之下，大功率LED单体的功率远大于单个LED等于若干个小功率LED的总和，供电线路相对简单，散热结构完善，物理特性稳定。所以说，大功率LED器件代替小功率LED器件成为主流半导体照明器件是必然的。但是对于大功率LED器件的封装方法我们并不能简单的套用传统的小功率LED器件的封装方法与封装材料。大的耗散功率，大的发热量，高的出光效率给我们的封装工艺封装设备和封装材料提出了新的更高的要求。因此我们在努力寻求一种更好的LED散热基板，以克服传统铝基板表面覆盖PCB线路结构的缺点，大大提高了发光效率并简化制作。

发明内容：

为了克服现有LED基板散热慢、反射率低、制作不便等不足，本发明的目的在于：提供一种散热性能更好，提高反射率并提高发光效率，而且制作简单方便的大功率LED基板。

本发明解决现有技术问题的技术方案是：

一种大功率LED基板的生产工艺，其步骤是：(1)在常用电解液中加入浓度5-30kg/m³的纳米金刚石粉，(2)调节电解混合液的温度控制在40℃-50℃，将基板材料放入电解液中进行常规化学电镀，在电镀过程中对电解液采用超声波分散，同时对电解液进行机械搅拌，使金刚石粉均匀悬浮在镀液中。

本发明所述工艺生产的基板，由于在电解液中添加了纳米金刚石粉，电镀出来的复合膜不但显微硬度高，可达Hv 1000-1400；耐磨性提高3-5倍；镀层与基体的结合力提高30-40％；覆盖能力强，镀层均匀、平滑、细致。复合膜的上述性能使芯片的散热加快、并能提高光线的反射率，如此能使LED散热加快。

具体实施方式：

下面给出本发明的最佳实施例。

本发明一种大功率LED基板的生产工艺，其步骤是：(1)在常用电解液中加入浓度20kg/m³的纳米金刚石粉，(2)调节电解混合液的温度控制在40℃-50℃，将基板材料放入电解液中进行常规化学电镀，在电镀过程中对电解液采用超声波分散，同时对电解液进行机械搅拌，使金刚石粉均匀悬浮在镀液中。上述所述常规化学电镀可采用标准镀铬工艺设备上按普通工艺参数。

以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明的结构作任何形式上的限制。凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明的技术方案的范围内。