[发明专利]磁控溅射设备有效
| 申请号： | 201010136596.X | 申请日： | 2010-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN102206805A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 赵鑫;明星;周伟峰;张文余;郭建 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁控溅射 设备 | ||
【权利要求书】：
1.一种磁控溅射设备，包括基板和靶材、以及设在所述基板和靶材之间的遮挡板，该遮挡板上形成有矩形镂空结构；其特征在于，在所述遮挡板的非镂空部分设有开口朝向所述靶材的凹槽，且在所述凹槽的开口处覆盖有过滤膜。
2.根据权利要求1所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述凹槽沿所述遮挡板的周边设置，且所述凹槽呈矩形环状。
3.根据权利要求1所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述过滤膜为分子筛薄膜。
4.根据权利要求1、2或3所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述过滤膜通过螺钉固定到所述凹槽上。
5.根据权利要求1、2或3所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述过滤膜通过固定卡扣固定到所述凹槽上。
6.根据权利要求1、2或3所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述过滤膜的厚度为2～3mm。
7.根据权利要求1、2或3所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述过滤膜上的孔径为2～8nm。
8.根据权利要求1所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述凹槽的深度为15～20mm。
9.根据权利要求1所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述凹槽的壁厚随所述遮挡板的材质硬度的增大而变小。
10.根据权利要求1或9所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述凹槽的壁厚为3～5mm。
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