[发明专利]用于光刻设备的水平传感器布置和器件制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种光刻设备和一种用于制造器件的方法。更具体地，本发明涉及一种水平传感器布置和一种用于衬底的水平感测的方法。

背景技术

光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅衬底)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行的。通常，单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括：所谓的步进机，在步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；和所谓的扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步地扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。也可能通过将图案压印(imprinting)到衬底上的方式从图案形成装置将图案转移到衬底上。

欧洲专利申请EP-A-1 037 117公开一种光刻投影设备中的离轴调平布置。使用这种布置，通过使用采用光栅光学元件和在600-1050nm波长范围内的多色辐射的水平传感器，确定光刻图中的衬底的高度图。

发明内容

本发明旨在提供一种改进的水平传感器布置和其操作。

根据本发明的一方面，提供一种用于测量光刻设备中衬底的感光层的表面的位置的水平传感器布置，所述水平传感器布置包括用于在操作中测量从所述衬底反射的辐射的检测器单元，其特征在于：所述检测器单元布置成测量在被用于处理所述衬底的所述感光层所敏感的波长范围内的辐射。

根据本发明的一方面，提供一种光刻设备，其布置成测量衬底的感光层的表面的位置，其中所述光刻设备布置成基于由所述衬底反射的光化辐射测量高度。

根据本发明的一方面，提供一种用于测量光刻设备中衬底的感光层的表面的位置的方法，所述方法包括在操作过程中测量从所述衬底反射的辐射，其中所述被反射的辐射位于用于处理所述衬底的所述感光层所敏感的波长范围中。根据本发明的一方面，提供一种器件制造方法，所述方法包括将图案从图案形成装置转移到衬底上；以及基于由所述衬底反射的光化辐射来测量衬底的感光层的表面的位置。

附图说明

下面仅通过示例的方式，参考附图对本发明的实施例进行描述，其中示意性附图中相应的标记表示相应的部件，在附图中：

图1示出根据本发明实施例的光刻设备；

图2示出采用投影光栅的水平传感器布置的示意图；

图3示出具有叠层的衬底的示意性横截面图，包括水平传感器布置的测量束；

图4示出根据本发明实施例的水平传感器布置的示意图；

图5示出检测器单元的一部分的横截面图；

图6示出根据本发明实施例的检测器单元的一部分的横截面图；

图7a示出衬底上的典型前端叠层(front end stack)的横截面视图；图7b示出具有前端叠层的衬底的表观表面下沉(apparent surface depression)对于两个波长范围作为入射角的函数的曲线图；和

图8a示出衬底上的典型后端叠层(back end stack)的横截面视图；图8b示出具有后端叠层的衬底的表观表面下沉对于两个波长范围作为入射角的函数的曲线图；

图9示出根据本发明另一实施例的水平传感器布置的示意图，其中合并有遮蔽件。

在附图中，相同或相似的附图标记表示相同或相似的部件。

具体实施方式

图1示意地示出了根据本发明的一个实施例的光刻设备。所述光刻设备包括：

-照射系统(照射器)IL，其配置用于调节辐射束B(例如，紫外(UV)辐射或深紫外(DUV)辐射)；

-支撑结构(例如掩模台)MT，其构造用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA，并与配置用于根据确定的参数精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连；

-衬底台(例如晶片台)WT，其构造用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于根据确定的参数精确地定位衬底的第二定位装置PW相连；和

-投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS，其配置用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或多根管芯)上。