[发明专利]用于光刻设备的水平传感器布置和器件制造方法有效
申请号: | 201010136056.1 | 申请日: | 2010-03-12 |
公开(公告)号: | CN101840166A | 公开(公告)日: | 2010-09-22 |
发明(设计)人: | A·J·登鲍埃夫;J·P·H·本斯库普;R·布林克霍夫;L·J·曼彻特 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F9/00 | 分类号: | G03F9/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 光刻 设备 水平 传感器 布置 器件 制造 方法 | ||
1.一种用于测量光刻设备中衬底的感光层的表面的位置的水平传感器布置,包括:
辐射检测器,其用于在操作中测量从所述衬底反射的辐射,
其中所述辐射检测器布置成测量在将被用于处理所述衬底的所述感光层所敏感的波长范围内的辐射。
2.如权利要求1所述的水平传感器布置,包括:
光源,其用于朝向所述衬底发射在所述波长范围内的辐射,和
衬底支撑件,其用于支撑所述衬底并将所述表面定位在一位置中,使得所述光源的所述辐射被所述衬底镜面反射到所述检测器。
3.如权利要求2所述的水平传感器布置,其中所述光源是氘光源。
4.如权利要求1、2或3所述的水平传感器布置,其中,所述波长范围包括小于400nm的辐射。
5.如权利要求1、2或3所述的水平传感器布置,其中,在所述衬底的所述表面处接收的辐射剂量低于预定水平。
6.如权利要求5所述的水平传感器布置,其中,所述预定水平是1×10-8J/m2。
7.如权利要求1、2或3所述的水平传感器布置,其中,所述检测器单元包括刻划光栅,所述刻划光栅具有大于由所述光源发射的辐射的波长的节距。
8.如权利要求7所述的水平传感器布置,还包括定位在所述光源和所述衬底之间的投影光栅,其中所述刻划光栅的所述节距等于所述投影光栅的所述节距。
9.如权利要求1、2或3所述的水平传感器布置,其中,所述检测器单元包括具有作为波长的函数的敏感度轮廓的元件,其基本上与作为所述光源的波长的函数的光谱辐照度轮廓相反地匹配。
10.如权利要求2或3所述的水平传感器布置,还包括遮蔽件,其可操作用于阻挡来自所述光源的光入射到所述衬底上。
11.如权利要求2或3所述的水平传感器布置,还包括控制装置,其可操作用于关闭所述光源。
12.一种光刻设备,其布置成测量衬底的感光层的表面的位置,其中所述光刻设备布置成基于由所述衬底反射的光化辐射来测量高度。
13.如权利要求12所述的光刻设备,其中,所述光刻设备包括根据权利要求1-11中任一项所述的水平传感器布置。
14.如权利要求12或13所述的光刻设备,其中,所述光刻设备还包括投影系统,其配置成将曝光辐射的图案化辐射束投影到所述衬底的目标部分上,其中在所述衬底的所述表面处接收的辐射剂量低于预定水平,并且所述预定水平依赖于被允许离开所述投影系统的杂散光水平。
15.如权利要求12或13所述的光刻设备,包括照射系统,其配置用于调节曝光辐射的辐射束,其中所述照射系统还布置成应用曝光水平偏移,以校正由水平传感器布置所应用的辐射剂量。
16.一种用于测量光刻设备中衬底的感光层的表面的位置的方法,包括在操作过程中测量从所述衬底反射的辐射,
其中所述反射的辐射在将被用于处理所述衬底的所述感光层所敏感的波长范围内。
17.一种用于测量光刻设备中衬底上的感光层的表面的位置的方法,所述光刻设备可操作用于投影辐射束到所述感光层上,所述感光层包括对在波长范围内的辐射敏感的材料,所述波长范围包括所述辐射束的波长,所述方法包括步骤:
从所述感光层的所述表面反射测量辐射束,所述测量辐射束的波长在所述感光层的所述材料所敏感的所述波长范围内;
接收所述被反射的测量束;和
基于所述被反射的测量束,确定所述感光层的所述表面的位置。
18.一种器件制造方法,包括将图案从图案形成装置转移到衬底上,所述方法包括基于由所述衬底反射的光化辐射来测量衬底的感光层的表面的位置。
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