[发明专利]光学物品及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201010129480.3 申请日: 2010-03-04
公开(公告)号: CN101825728A 公开(公告)日: 2010-09-08
发明(设计)人: 西本圭司;野口崇;关浩幸 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: G02B1/10 分类号: G02B1/10
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 丁香兰;庞东成
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 光学 物品 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种光学物品的制造方法,所述光学物品具有直接或隔着其他层在光学基材上形成的滤光层,所述滤光层使规定波段的光透过而将波长长于和/或短于所述规定波段的光屏蔽,

其中,所述光学物品的制造方法具有下述步骤:

形成所述滤光层所含有的第1层;和

通过在所述第1层的表面添加碳、硅和锗的至少任意之一来实施低电阻化。

2.如权利要求1所述的光学物品的制造方法,其中,所述第1层含有能与碳、硅和锗的至少任意之一形成化合物的过渡金属。

3.如权利要求1或2所述的光学物品的制造方法,其中,所述实施低电阻化的步骤中进一步包括将用于与碳、硅和锗的至少任意之一形成化合物的过渡金属添加于所述第1层的表面的步骤。

4.如权利要求1~3任一项所述的光学物品的制造方法,其中,所述滤光层是含有所述第1层的多层膜,所述光学物品的制造方法进一步包括在所述第1层上叠置形成所述多层膜的其他层的步骤。

5.一种光学物品,其具有光学基材和滤光层,所述滤光层直接或隔着其他层形成在所述光学基材上,并且该滤光层使规定波段的光透过而将波长长于和/或短于所述规定波段的光屏蔽,

所述滤光层具备含有通过添加碳、硅和锗的至少任意之一而被低电阻化的表层域的第1层。

6.如权利要求5所述的光学物品,其中,所述第1层含有能与碳、硅和锗的至少任意之一形成化合物的过渡金属。

7.如权利要求5或6所述的光学物品,其中,所述表层域含有碳、硅和锗的至少任意之一与过渡金属的化合物。

8.如权利要求5~7任一项所述的光学物品,其中,所述滤光层使可见光透过而将紫外光和/或红外光屏蔽。

9.如权利要求5~8任一项所述的光学物品,其中,所述滤光层是多层膜,所述第1层是构成所述多层膜的一个层。

10.如权利要求9所述的光学物品,其中,所述第1层是含有能与碳、硅和锗的至少任意之一形成化合物的过渡金属的氧化物层。

11.如权利要求5~10任一项所述的光学物品,其中,所述光学基材是玻璃板或水晶板。

12.一种系统,其具有如权利要求5~11任一项所述的光学物品、和用于通过所述光学物品获取图像的摄像装置。

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