[发明专利]晶体硅太阳电池背点接触结构的制备方法

权利要求书

1.一种晶体硅太阳能电池背点接触结构的制备方法，其特征在于具体制备 步骤如下：

A.根据所设计的晶体硅太阳能电池结构，确定电池背点接触结构的样式， 即点列阵的密度和导电的接触点的大小；

B.根据该样式制作丝网印刷用的网板；

C.对已制备好绒面结构和P-N结的清洗后的样品背表面印刷光刻胶点列阵 图形，接着对光刻胶点列阵图形进行加热固化，固化温度在100-200℃之间；

D.将步骤C所得到的有光刻胶点列阵的样品表面，用真空热蒸发或等离子 体气相化学沉积的方法制备SiO2钝化膜，其厚度为155nm；

E.将步骤D所得到的有光刻胶点列阵和钝化膜的样品表面用去胶液洗去光 刻胶点列阵，使在点列阵处暴露晶体硅衬底；

F.将步骤E所得到的样品经漂洗、甩干后，用常规工艺方法完成后续上表 面减反射膜和上、背表面铝电极丝网印刷及烧结工艺，最终得到完整的电池结 构。

2.根据权利要求1的一种晶体硅太阳能电池背点接触结构的制备方法，其 特征在于：所说的钝化膜为与其上覆盖的铝背电极形成高反射结构的SiO2钝化 膜。