[发明专利]多模全差分放大器

权利要求书

1.一种多模全差分放大器，所述放大器包括相互并联的第一电路和第二 电路，所述第一电路包括第一晶体管、第三晶体管和第五晶体管，所述第三 晶体管和所述第五晶体管并联后和所述第一晶体管串联；所述第二电路包括 第二晶体管、第四晶体管和第六晶体管，所述第四晶体管和所述第六晶体管 并联后和所述第二晶体管串联；

其特征在于：

所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、 所述第五晶体管和所述第六晶体管的基区掺杂材料为锗；

所述放大器还包括第一偏置端、第二偏置端、第三偏置端和第四偏置端， 所述第一偏置端和所述第一晶体管的基极相连，所述第二偏置端和所述第二 晶体管的基极相连，所述第三偏置端和所述第三晶体管的基极上连接的负载 电阻相连，所述第四偏置端和所述第四晶体管的基极上连接的负载电阻相连。

2.根据权利要求1所述的多模全差分放大器，其特征在于所述第一晶体 管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管 和所述第六晶体管均为双极型晶体管。

3.根据权利要求1所述的多模全差分放大器，其特征在于所述放大器还 包括第一电感和第二电感，所述第一电感一端和所述第一晶体管的发射极相 连，另一端接地；所述第二电感一端和所述第二晶体管的发射极相连，另一 端接地。

4.根据权利要求1所述的多模全差分放大器，其特征在于所述放大器还 包括第三电感和第四电感，所述第三电感的一端和所述第一晶体管的基极相 连，另一端和第一输入端相连；所述第四电感的一端和所述第二晶体管的基 极相连，另一端和第二输入端相连。

5.根据权利要求4所述的多模全差分放大器，其特征在于所述第一输入 端和所述第一晶体管之间以及所述第二输入端和所述第二晶体管之间，均设 置一电容。

6.根据权利要求1所述的多模全差分放大器，其特征在于所述放大器还 包括第五电感和第六电感，所述第五电感的一端和所述第三晶体管的集电极 相连，另一端和电源相连；所述第六电感的一端和所述第四晶体管的集电极 相连，另一端和电源相连。

7.根据权利要求1所述的多模全差分放大器，其特征在于所述第三晶体 管、所述第四晶体管、所述第五晶体管和所述第六晶体管的基极均连接一负 载电阻。

8.根据权利要求1所述的多模全差分放大器，其特征在于所述放大器还 包括第一输出端和第二输出端，所述第一输出端和所述第三晶体管的集电极 相连，所述第二输出端和所述第四晶体管的集电极相连。

9.根据权利要求8所述的多模全差分放大器，其特征在于所述第一输出 端和所述第三晶体管的集电极之间以及所述第二输出端和所述第四晶体管的 集电极之间，均设置一电容。

10.根据权利要求1所述的多模全差分放大器，其特征在于所述放大器 还包括第一MOS管、第二MOS管、第一控制端和第二控制端，所述第一MOS 管的源极和所述第一晶体管的栅极相连，所述第一MOS管的栅极和所述第一 控制端相连，所述第一MOS管的漏极接地；所述第二MOS管的源极和所述第 二晶体管的栅极相连，所述第二MOS管的栅极和所述第二控制端相连，所述 第二MOS管的漏极接地。