[发明专利]一种非真空环境下配置铜铟镓硒浆料制作光吸收层的方法

权利要求书

1.一种非真空环境下配置铜铟镓硒浆料制作光吸收层的方法，其特征在于其是用以在非真空环境下制作铜铟镓硒浆料，该铜铟镓硒浆料是用以涂布在一钼层上而形成一吸收层，该方法系包括以下步骤：

首先，依据一配方比例，混合具有薄片形状和其他形状且含IB、IIIA和VIA族元素的二个成份或三个成份或四个成份的粉末材料，以形成含铜铟镓硒的原始混合粉末，且该IB族元素包括铜，该IIIA族元素包括铟或镓或铟镓混合材料，该VIA族元素包括硒或硫或硒硫混合材料；

接着，以原始VIA族元素比例，再添加额外的VIA族元素粉末至该原始混合粉末中，并进行混合以形成一最后混合粉末；

之后，添加溶剂至该最后混合粉末中并进行搅拌，藉以形成含有IB、IIIA及VIA族元素的铜铟镓硒浆料；

然后，以非真空涂布法将上述铜铟镓硒浆料涂布在钼金属层上，软烤后形成铜铟镓硒光吸收前驱层；以及

最后，经快速退火炉以快速升温速率，将含铜铟镓硒光吸收前驱层的基板加热退火长晶以形成光吸收层。

2.根据权利要求1所述的一种非真空环境下配置铜铟镓硒浆料制作光吸收层的方法，其特征在于其中所述的原始混合粉末的配方比例是包括该IB、IIIA及VIA族元素的莫耳比例等于0.9-1.0∶1.0∶2.0。

3.根据权利要求1所述的一种非真空环境下配置铜铟镓硒浆料制作光吸收层的方法，其特征在于其中所述的最后混合粉末的比例是包括该IB、IIIA及VIA族元素的莫尔比例等于1.0∶1.0∶X，其中X为2.0至4.0之间。

4.根据权利要求1所述的一种非真空环境下配置铜铟镓硒浆料制作光吸收层的方法，其特征在于其中薄片形状材料占总材料的体积比例小于50％。

5.根据权利要求1所述的一种非真空环境下配置铜铟镓硒浆料制作光吸收层的方法，其特征在于其中所述的溶剂包括醇类、醚类、酮类或混合上述二种以上溶剂的至少其中之一。

6.根据权利要求1所述的一种非真空环境下配置铜铟镓硒浆料制作光吸收层的方法，其特征在于其中所述的非真空涂布法为刮刀涂布、狭缝涂布法、超音波喷涂法、电镀法或网印法其中之一。

7.根据权利要求1所述的一种非真空环境下配置铜铟镓硒浆料制作光吸收层的方法，其特征在于其中所述的快速退火炉的升温速率介于每分钟升温10～50℃。

8.根据权利要求1所述的一种非真空环境下配置铜铟镓硒浆料制作光吸收层的方法，其特征在于其中所述的快速退火炉的操作温度介于400～800℃。

9.根据权利要求1所述的一种非真空环境下配置铜铟镓硒浆料制作光吸收层的方法，其特征在于其中所述的快速退火炉的操作时间介于5-50分钟。