[发明专利]半导体激光器设备

权利要求书

1.一种半导体激光器设备，包括：

散热部件，包括具有在左右方向延伸的前端部的主体和从所述前端部的两侧向前突出的一对突出部分；

半导体激光器装置，沿所述主体的所述前端部被接合；以及

加强构件，用于桥接所述一对突出部分。

2.根据权利要求1的半导体激光器设备，其中假定所述散热部件的线性膨胀系数是α1，所述半导体激光器装置的线性膨胀系数是α2，所述加强构件的线性膨胀系数是α3，满足α1＞α2并且α1＞α3。

3.根据权利要求2的半导体激光器设备，其中满足α1＞α2＞α3。

4.根据权利要求1的半导体激光器设备，还包括：

准直透镜，设置在所述前端部与所述加强构件之间，

其中所述半导体激光器装置具有面向前方的发光表面，

所述加强构件被设置在与所述主体的所述前端部相分离的位置，以及

所述准直透镜与所述半导体激光器装置的所述发光表面相对。

5.根据权利要求1的半导体激光器设备，

其中所述半导体激光器装置具有面向前方的发光表面，以及

随着距离所述发光表面的距离增大，所述加强构件的厚度减小。

6.根据权利要求1的半导体激光器设备，

其中在所述半导体激光器装置与所述主体之间形成第一金属层，以及

在加强构件的相对两端与所述一对突出部分的各表面之间形成第二金属层，其中所述一对突出部分的各表面面对所述加强构件的相对两端。

7.根据权利要求6的半导体激光器设备，其中所述第一金属层和第二金属层由相同金属材料构成。

8.根据权利要求6的半导体激光器设备，其中所述第一金属层由熔点低于第二金属层的金属构成。

9.根据权利要求1的半导体激光器设备，其中所述一对突出部分和加强构件还被设置在主体的后端部。

10.根据权利要求9的半导体激光器设备，其中所述散热部件和加强构件被设置为在平面内是线对称的。