[发明专利]一种双层结构MCrAlY粘结层及其制备方法无效
| 申请号: | 201010100476.4 | 申请日: | 2010-01-22 |
| 公开(公告)号: | CN101791893A | 公开(公告)日: | 2010-08-04 |
| 发明(设计)人: | 宫声凯;王娟;彭徽;郭洪波;徐惠彬 | 申请(专利权)人: | 北京航空航天大学 |
| 主分类号: | B32B33/00 | 分类号: | B32B33/00;B32B15/01;C23C14/30 |
| 代理公司: | 北京永创新实专利事务所 11121 | 代理人: | 官汉增 |
| 地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 双层 结构 mcraly 粘结 及其 制备 方法 | ||
1.一种双层结构MCrAlY粘结层,其特征在于:所述的粘结层包括底层和上层,所述的底 层为择优生长的等轴晶结构MCrAlY层,厚度5~20μm,晶粒度为20~50μm;所述的 上层为柱状晶结构MCrAlY层,厚度20~100μm,晶粒度小于1μm,其中M为Ni、或 Co、或Ni+Co;
所述的底层中铝含量为3~5wt.%;上层中铝含量为8~12wt.%。
2.根据权利要求1所述的双层结构MCrAlY粘结层,其特征在于:所述的MCrAlY粘结层 中的上层成份为M、铬、铝和钇,其重量百分比为19~25%的铬、8~12%的铝、0.07~1.5% 的钇,其余为M;底层成份为M、铬、铝和钇,其重量百分比为19~25%的铬、3~5% 的铝、0.07~1.5%的钇,其余为M,M为镍、钴或镍+钴。
3.一种权利要求1所述的双层结构MCrAlY粘结层的制备方法,其特征在于:采用等离子 体辅助电子束物理气相沉积制备,包含下列步骤:
(1)准备MCrAlY蒸发料棒,备用;
(2)准备基体材料,并将其安装在电子束物理气相沉积设备旋转基板架上;
(3)将MCrAlY料棒放置在水冷铜坩埚中;
(4)将真空室抽至所需的低于5×10-3Pa真空度;
(5)设定旋转基板架转速为10~20rpm,并用电子束加热基板850~1020℃,基板施加 -100~-300V直流或占空比大于50%的脉冲偏压,电子束电压17~19kV;
(6)预热蒸发料棒,调节电子束流1.4~1.8A,料棒上升速度为0.8~1.0mm/min;
(7)蒸发稳定后,接通坩埚上方水冷电极圈的电压,引燃放电电弧,调整放电电压为10~30 V,放电电流为100~500A;
(8)打开挡板,进行涂层沉积,此时基板上获得的离子电流密度为10~100mA/cm2,同 时保持基板温度维持在850~1020℃,此时沉积物为双层结构的底层;
(9)当底层沉积厚度为5~50μm时,熄灭电弧放电并关闭基板偏压,保持电子束蒸发功率 不变,继续沉积20~100μm,同时保持基板温度维持在850~1020℃,此时沉积物为双层 结构的上层;
(10)关闭设备,取出沉积完毕基体材料,
(11)对沉积完毕的涂层进行真空热处理,温度:1000~1100℃,时间2~6h,制备结束。
4.一种实现权利要求3所述的方法的设备,其特征在于:在传统EB-PVD设备坩埚上方1~5 cm位置放置一个作为阳极圈型水冷铜电极,并施加10~30V的直流电压,用于沉积时 引燃电弧放电;阴极为设备外壳;在基板上施加一个-100V~-300V的直流或脉冲负偏 压,如果使用脉冲偏压则占空比要大于50%。
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