[发明专利]用于控制数据传输的相变随机存取存储装置有效

专利信息
申请号: 201010001020.2 申请日: 2010-01-19
公开(公告)号: CN101901630A 公开(公告)日: 2010-12-01
发明(设计)人: 尹泰勋 申请(专利权)人: 海力士半导体有限公司
主分类号: G11C11/56 分类号: G11C11/56;G11C16/06
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人: 郭放;黄启行
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 用于 控制 数据传输 相变 随机存取 存储 装置
【说明书】:

相关申请的交叉引用

根据35U.S.C.§119(a),本申请要求2009年5月29日提交的韩国申请No.10-2009-0047397的优先权,其全部内容通过引用合并进来,如同全部列出一样。

技术领域

在此描述的实施例总的来说涉及相变随机存取存储装置,以及具体地说,涉及用于控制数据传输的相变随机存取存储装置。

背景技术

相变随机存取存储器(下文中称为“PRAM”)装置包括单位单元,每一个单位单元包括耦合到字线的开关器件(如二极管),和耦合到位线的单个元件可变电阻器(GST;GexSbyTez)。这种PRAM能够通过响应于电脉冲可逆向地控制GST的物理相而将数据储存在单位单元中。

通常,PRAM装置连同其他相变存储装置具有分级结构。例如,PRAM装置包括多个存储体(bank),每一个存储体具有多个存储格(mat)。每单个存储格包括布置为单元阵列单位的子块。通过这种结构,数据可以从选定的单元阵列被读出,或从外部系统被写入选定的单元阵列。

为了维持读取或编程操作的功能稳定性,有必要针对读操作,将读取的数据保留一预定的读取时间,或针对写入操作,将写入的数据保留一预定的编程时间。因此,要求包括单元阵列的每一个子块具有用于将数据暂时保留在其中的锁存电路。为了完成该要求,必须扩大PRAM装置并增加其集成密度。

发明内容

本发明的实施例提供一种实现提高面积效率的PRAM装置。

在实施例中,一种相变存储装置包括:多个子块;锁存块,经读出总线与所述子块共同连接,并配置为锁存来自所述子块中的一格子块的数据;以及比较器,与所述子块共同连接以从写入总线接收数据,并配置为将所述锁存块的数据与所述写入总线的数据进行比较,以产生比较信号。

在另一实施例中,一种相变存储装置包括:包括多个子块的存储格;和锁存块,设置在所述存储格中并经读出总线与所述子块共同连接,配置为锁存通过子块选择信号选定的一个所述子块的数据。

在另一实施例中,一种相变存储装置包括:多个子块;锁存块,经读出总线与所述子块共同连接,并配置为锁存来自所述子块中的一个子块的数据;以及比较器,与所述子块共同连接以从写入总线接收数据,并配置为将所述锁存块的数据与所述写入总线的数据进行比较,其中,当响应于写入命令选定所述子块中的一个子块时,从所述选定的子块中读出的数据被与来自所述写入总线的数据相比较。

在另一实施例中,一种相变存储装置包括:多个子块;锁存块,经读出总线与至少两个子块共同连接,并配置为锁存来自所述至少两个子块中的一个子块的数据;以及比较器,与至少两个子块共同连接以从写入总线接收数据,并配置为将锁存块中的数据与来自写入总线的数据进行比较,以产生比较信号。

下面在标题为“具体实施方式”的部分描述这些和其他特征、方面和实施例。

附图说明

通过结合附图的以下详细描述,将更清楚地理解本发明主题的以上和其他方面、特征和其他优点,在附图中:

图1是说明根据本发明实施例的PRAM装置的分级结构的方框图。

图2是说明图1中所示的单个存储格和比较器之间的关系的方框图。

图3是示意性说明图2中所示的第一锁存控制器的方框图。

图4是根据图2和图3示意性说明已选定的和未选定的子块中的数据流动的电路图。

具体实施方式

现在将参考其中示出一些示例性实施例的附图,更加全面地描述各个示例性实施例。然而,在此公开的具体结构和功能细节仅仅是用于描述示例性实施例的示例。然而,本发明可以用许多替换形式来实现,并且不应当理解为仅限于在此所述的示例性实施例。

因此,虽然示例性实施例能有各种修改或者替换形式,但是通过实例的方式在附图中示出其实施例并且在此详细描述所述实施例。然而,应当理解,不存在将示例性实施例限制为公开的具体形式的意图,而相反地,示例性实施例将覆盖落入本发明范围内的所有修改例、等同例和替换例。在整个附图的描述中,相同的附图标记指相同的元件。

另外,应当理解,虽然第一、第二等这些术语可以在此用来描述各个元件,但是这些元件不应当受到这些术语的限制。这些术语仅仅用来区别一个元件与另一个元件。例如,在不脱离示例性实施例的范围的情况下,第一元件可以表述为第二元件,且类似地,第二元件可以表述为第一元件。如在此所用的,术语“和/或”包括一个或更多个相关联的所列条目的任何组合和所有组合。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海力士半导体有限公司,未经海力士半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010001020.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top