[发明专利]带有耦合体声波谐振器且具有阻抗匹配适应的滤波电路

权利要求书

1.一种具有耦合谐振器的滤波电路，其包括：

衬底（100）；

声镜（101）或膜，其既定充当压电谐振器的支撑件且将所述压电谐振器与所述衬底隔离；

第一结构（左），其包括借助于至少一个声耦合层（130）彼此耦合的上部谐振器（120）和下部谐振器（110），所述上部和下部谐振器具有第一区段（A1）；

第二结构（右），其包括借助于至少一个声耦合层（130）彼此耦合的上部谐振器（220）和下部谐振器（210），所述第二结构的所述上部和下部谐振器具有第二区段（A2）；

所述滤波电路的特征在于，其包括实施一个区段的所述下部谐振器与另一区段的所述上部谐振器之间的级间连接的金属通路。

2.根据权利要求1所述的具有耦合谐振器的滤波电路，其特征在于所述上部谐振器具有压电层，所述压电层具有与所述下部谐振器的厚度不同的选定厚度，且所述滤波电路的特征在于所述区段A1具有与所述区段A2不同的表面面积，以便实施所述第一与区段之间的阻抗匹配。

3.根据权利要求1或2所述的滤波电路，其特征在于所述谐振器为体声波（B.A.W）型谐振器。

4.根据权利要求3所述的滤波电路，其特征在于所述BAW型谐振器通过薄膜沉积、溅射、真空下汽化或化学气相沉积（CVD）的技术来建置。

5.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的滤波电路，其特征在于所述BAW型谐振器包括可为ZnO、AlN、ZnS的压电材料。

6.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的滤波电路，其特征在于所述谐振器包括由例如钨（W）、铝（Al）、铜（Cu）、钼（Mo）、镍（Ni）、钛（Ti）、银（Ag）、金（Au）或钽（Ta）制成的电极。

7.根据前述权利要求中任一权利要求所述的滤波电路，其特征在于所述滤波电路用以实施用于移动电话的接收或发射电路。

8.一种用于制造具有耦合谐振器的滤波电路的方法，其包括以下步骤：

提供衬底（100）；

将声镜（101）安置在所述衬底上方或膜上方；

安置第一（左）区段和第二（右）区段，每一区段包括具有电极和压电层的下部谐振器（110、210）以及上部谐振器（120、220），所述下部和上部谐振器由至少一个声耦合层（130）分离，所述第一和第二区段由确保一个结构的下部谐振器与另一结构的上部谐振器之间的级间连接的金属通路连接。

9.根据权利要求8所述的用于制造的方法，其特征在于所述方法包括：

将声镜（101）或膜布置在所述衬底上方；

布置第一金属层，所述第一金属层既定实施所述第一和第二区段的所述下部谐振器的下部电极（211、221）；

布置第一压电层（111）；

布置第二金属层，所述第二金属层既定实施所述第一和第二区段的所述下部谐振器的上部电极（213）；

布置一个或一个以上声耦合材料层（130），所述层确保所述所叠加的谐振器之间的临界耦合；

布置第三金属层，所述第三金属层既定实施所述第一和第二区段的所述上部谐振器的下部电极（121、221）；

布置第二压电层（122、222）；

布置第四金属层，所述第四金属层既定实施所述第一和第二区段的所述上部谐振器的上部电极（123、223）；

布置所述滤波电路的两个左和右结构；

布置在一个结构的所述下部谐振器的电极与另一结构的所述上部谐振器的电极之间的金属连接的至少一个通路。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于BAW型谐振器包括可为ZnO、AlN、ZnS的压电材料。