[发明专利]半导体激光器的调节方法有效

专利信息
申请号: 200980147459.1 申请日: 2009-11-26
公开(公告)号: CN102227854A 公开(公告)日: 2011-10-26
发明(设计)人: 田中宏和;石川务;町田豊稔 申请(专利权)人: 住友电工光电子器件创新株式会社
主分类号: H01S5/0687 分类号: H01S5/0687;H01S5/12;H01S5/125
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;赵芳
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体激光器 调节 方法
【说明书】:

技术领域

本发明总体上涉及半导体激光器的调节方法。

背景技术

专利文献1中公开的波长可调激光器具有SG-DBR(采样光栅分布布拉格反射器)区,该SG-DBR区具有多个波长选择区域。加热器对各个波长选择区域的温度进行控制。因此,利用折射率变化对波长选择特性进行控制。

在波长可调激光器中,通过使SG-DBR区的各个波长选择区域的波长特性重叠而选择的反射谱波长与SG-DFB(采样光栅分布反馈)区的增益谱波长彼此对应,并且振荡波长固定为预定波长。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本专利申请公开No.2007-048988

发明内容

本发明要解决的问题

必须预先针对各个波长通道来调节波长可调激光器的波长选择区域的参数值。另一方面,为了仅选择预定的单个波长,必须控制各个波长选择区域之间的预定关系。然而,已经知晓的是,在保持上述关系的情况下针对各个波长通道来调节参数值的方法需要非常大的参数值。

本发明的一个目的是提供一种限制了电力消耗并能够选择振荡波长的半导体激光器的调节方法。

解决问题的技术手段

一种半导体激光器的调节方法,该半导体激光器包括多个分别具有周期性波长特性的波长选择区域,其特征在于,该方法包括以下步骤:对所述波长选择区域进行折射率控制;确认步骤,确认与未进行所述折射率控制的状态下由折射率的规定值实现的波长特性相比,通过所述折射率控制实现的所述波长选择区域各自的波长特性是否改变了一个周期以上;以及以所述一个周期为单位使所述确认步骤中确认波长特性发生了改变的波长选择区域的折射率向着所述规定值侧偏移。利用本发明,可以减小波长选择区域的控制量,并且可以减小该控制所需的电力消耗。

可以通过对分布式反射器区进行划分而限定所述多个波长选择区域,其中,该分布式反射器区具有多个片段,在该多个片段中,在具有衍射光栅的衍射光栅部上连接了空白部。

用于控制所述波长选择区域的参数值可以是片段的温度。

用于控制所述波长选择区域的参数值可以是向片段提供的电流值。

所述多个片段的各自的光学长度可以彼此不同。

所述波长选择区域可以具有多个片段,并与具有增益的增益区光学连接,其中在该多个片段中,在具有衍射光栅的衍射光栅部上连接了空白部。

所述多个波长选择区域可以分别是环状谐振器。

发明效果

根据本发明,能够抑制电力消耗并选择振荡波长。

附图说明

图1例示了根据第一实施方式的激光器设备的示意图;

图2例示了在由加热器加热之前的片段的反射谱;

图3例示了CSG-DBR区和SG-DFB区的反射谱;

图4例示了根据该第一实施方式对半导体激光器的控制原理;

图5例示了由控制器执行的流程图的一个例子;

图6例示了片段的温度与CSG-DBR区的反射谱之间的关系;

图7例示了加热器的实际温度控制;以及

图8例示了根据第二实施方式的半导体激光器的示意图。

具体实施方式

下面将说明用于实现本发明的最佳模式。

[第一实施方式]

图1例示了根据第一实施方式的激光器设备100的示意图。如图1所示,激光器设备100具有半导体激光器10、温度控制设备20和控制器30。半导体激光器10设置在温度控制设备20上。下面将说明各个部件的细节。

半导体激光器10具有如下结构:其中呈顺序地连接CSG-DBR(啁啾采样光栅分布布拉格反射器)区11、SG-DFB区12和SOA(半导体光学放大器)区13。

CSG-DBR区11具有如下的光波导,该光波导以给定间隔具有多个光栅。CSG-DBR区11的光波导具有多个片段,在这些片段中,在具有衍射光栅的衍射光栅部上连接了空白部(space region)。在CSG-DBR区11中,CSG-DBR区11的这些片段具有不同的光学长度(optical length)。

CSG-DBR区11的光波导由半导体晶体制成,该半导体晶体的吸收边波长比激光器的振荡波长短。在该实施方式中,CSG-DBR区11具有三个片段(片段CSG1至片段CSG3)。CSG-DBR区11具有与各个片段相应的加热器。在该实施方式中,与片段CSG1至片段CSG3相对应地在CSG-DBR区11上设置有三个加热器14a至14c。

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