[发明专利]有机半导体

权利要求书

1.包含式(I)的有机半导体化合物的有机半导体器件：

其中Ar₁、Ar₂、Ar₃和Ar₄独立地包含单环芳环并且Ar₁、Ar₂、Ar₃和Ar₄的至少之一被至少一个取代基X取代，该取代基各自可以相同或不同并选自(i)具有1至20个碳原子的任选取代的直链、支化或环状烷基链，烷氧基，氨基，酰氨基，甲硅烷基或烯基，或者(ii)可聚合或反应性基团，该基团选自卤素、硼酸、二硼酸以及硼酸和二硼酸的酯、亚烷基和甲锡烷基，并且其中Ar₁、Ar₂、Ar₃和Ar₄可以各自任选地稠合到一个或多个另外的环上，并且其中Ar₁、Ar₂、Ar₃和Ar₄的至少之一包含杂环芳基。

2.根据权利要求1或权利要求2的器件，其中一个另外的芳基Ar₅与Ar₃稠合以提供式(II)的结构：

其中Ar₅代表任选地被一个或多个取代基X取代的单环芳环。

3.根据权利要求2的器件，其中芳基Ar₅包含杂环芳基。

4.根据权利要求2或权利要求3的器件，其中Ar₄稠合到一个另外的芳基体系Ar₆上以提供式(III)的结构：

其中Ar₆代表任选地被一个或多个取代基X取代的单环芳环。

5.根据权利要求4的器件，其中芳基体系Ar₆包含杂环芳基。

6.根据权利要求4或权利要求5的器件，其中Ar₅稠合到一个另外的芳基体系Ar₇上以提供式(IV)的结构：

其中Ar₇代表任选地被一个或多个取代基X取代的单环芳环。

7.根据权利要求6的器件，其中芳基体系Ar₇包含杂环芳基。

8.根据以上权利要求任一项的器件，其中该半导体化合物包含结构：

其中X₁和X₂可以相同或不同，并选自取代基X；Z₁和Z₂独立地为S、O、Se或NR₁，并且其中W₁和W₂独立地为S、O、Se、NR₁或-CR₁＝CR₁-，其中R₁为H或取代基。

9.根据以上权利要求任一项的器件，其中该半导体化合物包含结构：

其中V₁和V₂独立地为S、O、Se或NR₁，并且其中W₁和W₂独立地为S、O、Se、NR₁或-CR₁＝CR₁-，其中R₁为H或取代基。

10.根据以上权利要求任一项的器件，其中该半导体化合物包含结构：

11.根据以上权利要求任一项的半导体化合物，其中该半导体化合物包含结构：

其中X₁-X₁₀可以相同或不同，选自取代基X。

12.根据以上权利要求任一项的器件，其中该化合物包含低聚物或聚合物。

13.薄膜晶体管，其包含根据以上权利要求任一项的器件。

14.光学器件，其包含根据权利要求13的薄膜晶体管。

15.电致发光器件，其包含根据权利要求13的薄膜晶体管。