[发明专利]切割用表面保护带及切割用表面保护带的剥离去除方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种切割用表面保护带，该带是在待切断体如半导体晶片的单片化(切断)步骤中保护待切断体的表面(即，当该待切断体为半导体晶片时的回路形成面)的带，并且将该带在贴附于待切断体上的状态下切割。

背景技术

在背面研磨步骤之后进行的晶片单片化步骤(以下称为切割步骤)中，传统上，晶片回路形成面处于暴露状态。因此，假定切割时的切削水和由晶片切削产生的粉尘如切屑附着在回路形成面上，由此污染了电子部件表面的暴露的回路形成面。由于这种污染，可能发生缺陷。在这种情况下，考虑通过将保护带贴附在晶片的回路形成面上并且一起切断晶片和保护带而保护电子部件受到粉尘如切屑等的污染。然而，在传统的保护带的情况下，由于难以从单片化的晶片逐个地剥离和去除保护带，所以仍没有实用化。

此外，近年来，对半导体材料的薄型化和轻量化的要求进一步提高。对于半导体用硅晶片，已经提出需要将其薄化到厚度为100μm以下，但是这样薄的晶片非常脆且容易碎裂。因此，将各保护带从单片化的晶片剥离和去除的难度进一步增大。因此，作为用于剥离保护带的方法，已经考虑了将剥离用带贴附在保护带上并且在将剥离用带剥离的同时将保护带从被粘物剥离的方法、通过由对保护带进行吹气引入的力剥离保护带的方法等。

JP-A-2003-197567(专利文献1)公开了一种方法：在切割之前，将保护带贴附在电子部件表面的回路形成面上，以防止受到切削水和切屑等的污染。公开了在保护带收缩之后通过吹气来去除保护带或者通过贴附剥离用带并且随后对剥离用带施加外力以将保护带和剥离用带一起剥离来去除保护带的方法。

另外，JP-A-2006-196823(专利文献2)描述了通过使用聚烯烃膜作为保护带基材并且在去除时加热基材使基材热收缩以使保护带转向从而有助于去除保护带的方法。

然而，收缩特别是热收缩导致的保护带的变形通常不仅引起翘曲而且会引起例如皱褶等杂乱的形状变形。结果，例如在褶皱的情况下，剪切应力作用在保护带的压敏粘接剂和被粘物(芯片)之间的界面并且糊剂被撕开从而污染被粘物的表面。此外，在例如进行背面研磨的半导体晶片的厚度薄且具有低刚性的被粘物情况下，可能会发生例如被粘物的破损等麻烦。

背景技术文献

专利文献

专利文献1：JP-A-2003-197567

专利文献2：JP-A-2006-196823

发明内容

发明要解决的问题

当多方面地考虑了上述传统技术后，认为下面几点是严重的问题。

如图12所示，在具有贴附在被粘物7的表面上的传统保护带101的传统的切割试样109中，切割后加热时引起杂乱的形状变形的保护带101’没有从被粘物7充分地剥离，使得即使在鼓风后保护带也没有完全去除并且容易产生鼓风残留物。此外，在使用剥离用带的情况下，由于保护带进行杂乱的形状变形，所以从被粘物7升起的高度也不是恒定的，从而发生剥离用带的不完全的粘合。另外，认为当贴附剥离用带并且将外力施加在剥离用带上时，剥离用带可能会接触被粘物并且被粘物的表面可能会污染和破损。在利用镊子等进行剥离的情况下，在某些情况下可能缺少用于捏起的开始部分，由此去除需要大量的时间。

如果缺少保护带的剥离起点，则难以通过上述方法剥离保护带。即，为了从被粘物剥离保护带，剥离起点是必要的。因此，能够容易地制作剥离起点的保护带变得必要。作为用于制作保护带的剥离起点的方法，在使用具有收缩性层和约束层的保护带作为保护带的情况下，考虑了通过施加引起收缩的刺激如加热来收缩保护带从而制作起点的方法、通过施加引起收缩的刺激如加热来使保护带自发地卷起从而制作保护带的起点的方法。

在前一种方法中，需要高温条件以用于制作剥离起点。高温条件下的剥离步骤具有以下问题。

1.对电子部件的损坏

2.对切割带的损坏

3.来自保护带的被粘物污染

此外，由于从所有的单片化的芯片去除保护带需要大量的时间，并且还存在剥离时通过应力损坏芯片的风险，所以实用时有很多的问题。因此，为了在实用上有用，必须控制由于施加引起收缩的刺激例如加热引起的变形，从而不引起前述的麻烦。

因此，本发明的目的是提供一种用于切割步骤中的表面保护带，该保护带保护待切断体表面不受粉尘如切屑的附着导致的污染，所述保护通过将表面保护带贴附在待切断体的表面并且将所述带与所述待切断体一起切断而实现，并且在切割步骤之后也容易从单片芯片剥离和去除所述表面保护带。