[发明专利]用于利用光电流对分析物进行特异性检测的电极构件

权利要求书

1.一种电极构件，其用于利用光电流对分析物进行特异性检测，

所述电极构件至少包括导电性基材和设置于所述导电性基材上的电子接受物质，

所述电子接受物质至少包括包含半导体的第一物质的层、以及担载于所述第一物质的层的表面上且包含不同于所述半导体的半导体或者包含金属或金属氧化物的第二物质。

2.权利要求1所述的电极构件，其中所述第二物质通过进行沉积于所述第一物质的层的表面之后再将所述沉积的第二物质的一部分除去的工序而形成。

3.权利要求1所述的电极构件，其中构成所述第二物质的金属元素相对于构成所述第一物质的金属元素的比率，即表面存在元素比(摩尔比)为大于0(零)且小于1。

4.权利要求3所述的电极构件，其中所述表面存在元素比小于0.27。

5.权利要求1所述的电极构件，其中所述第二物质被覆所述第一物质的表面的一部分，且所述第二物质的被覆厚度大于0(零)且小于2nm。

6.权利要求1所述的电极构件，其中所述第二物质存在于从所述第一物质的表面朝向所述第一物质内部测量的深度4nm的区域内。

7.权利要求1所述的电极构件，其中所述第一物质是铟-锡复合氧化物或掺氟氧化锡。

8.权利要求1所述的电极构件，其中所述第二物质是氧化锌、铟-锡复合氧化物、氧化钨、或钛酸锶。

9.权利要求1所述的电极构件，其中探针物质被进一步担载于所述电子接受物质上。

10.一种制造权利要求1所述的电极构件的方法，所述方法至少包括以下工序：

在导电性基材上形成含有半导体的层以形成所述第一物质的层；以及

将不同于所述半导体的半导体或者金属或金属氧化物沉积于所述层的表面上以沉积所述第二物质。

11.权利要求10所述的方法，其中在所述第二物质的沉积之后，将所述第二物质的一部分除去。

12.权利要求11所述的方法，其中通过使所述第二物质与酸性水溶液接触来进行所述除去。

13.权利要求12所述的方法，其中所述酸性水溶液具有小于2.9的pH。