[发明专利]单色光源

权利要求书

1.一种发光系统，包括：

电致发光装置，发射第一波长的光；以及

光腔，增强从所述发光系统的顶面的光发射并抑制从所述发光系统的一个或多个侧面的光发射，所述光腔包括半导体多层堆叠，所述半导体多层堆叠接收所发射的第一波长的光并将所接收的光的至少一部分转换为第二波长的光，所述半导体多层堆叠包括II-VI势阱；

其中，离开所述发光系统的所述第二波长的所有光的积分发光强度是离开所述发光系统的所述第一波长的所有光的积分发光强度的至少10倍。

2.根据权利要求1所述的发光系统，其中所述II-VI势阱包括Cd(Mg)ZnSe或ZnSeTe。

3.根据权利要求1所述的发光系统，其中所述电致发光装置被设计成使得所述半导体多层堆叠接收的所述第一波长的光的大部分通过所述电致发光装置的顶面离开所述电致发光装置。

4.根据权利要求1所述的发光系统，其中，由所述发光系统沿第一方向发射的光具有第一组色坐标，由发光系统沿不同于所述第一方向的第二方向发射的光具有第二组色坐标，所述第二组色坐标与所述第一组色坐标基本相同。

5.根据权利要求4所述的发光系统，其中所述第一组色坐标是u₁’和v₁’，所述第二组色坐标是u₂’和v₂’，并且其中u₁’与u₂’之差值和v₁’与v₂’之差值各自的绝对值均不超过0.003。

6.根据权利要求1所述的发光系统，其中离开所述发光系统的所述第二波长的所有光的积分发光强度是离开所述发光系统的所述第一波长的所有光的积分发光强度的至少50倍。

7.根据权利要求1所述的发光系统，其中所述电致发光装置包括发射非相干光的LED。

8.根据权利要求1所述的发光系统，其中所述电致发光装置包括发射至少部分相干光的激光二极管。

9.根据权利要求1所述的发光系统，其中：

再发射的所述第二波长的光的主要部分从具有最小横向尺寸W_min的所述发光系统的顶面离开所述发光系统，并且再发射的所述第二波长的光的剩余部分的大部分从具有最大边缘厚度T_max的所述光腔的一个或多个侧面离开所述发光系统，比率W_min/T_max为至少约30；并且其中：

再发射的所述第一波长的光的主要部分从具有最小横向尺寸W1_min的所述电致发光装置的顶面离开所述电致发光装置，并且再发射的所述第一波长的光的剩余部分从具有最大边缘厚度T1_max的所述电致发光装置的一个或多个侧面离开所述电致发光装置，比率W1_min/T1_max为至少约30。

10.根据权利要求9所述的发光系统，其中所述比率W_min/T_max和W1_min/T1_max各自为至少约100。

11.一种包括根据权利要求1所述的光源的光指示器。

12.根据权利要求11所述的光指示器，所述光指示器是激光指示器。

13.根据权利要求11所述的光指示器，所述光指示器是手持式光指示器。

14.根据权利要求11所述的光指示器，还包括用来使所述光指示器工作的电池。