[发明专利]制造薄膜晶体管的方法和装置

权利要求书

1.一种制造TFT的方法，包括：

在基板上形成栅电极图案；

在所述栅电极图案上形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上顺序地形成半导体层图案和欧姆接触层图案；

在所述欧姆接触层图案上形成源电极和漏电极图案，其中所述源电极和漏电极图案在彼此之间相距固定间隔；以及

通过使用激光去除在所述源电极和漏电极图案之间暴露出的欧姆接触层图案。

2.根据权利要求1的方法，其中所述通过使用激光去除欧姆接触层图案的处理包括将具有逐渐减小的激光功率的激光施加于在所述源电极和漏电极图案之间暴露出的欧姆接触层图案的步骤。

3.根据权利要求1的方法，其中所述形成栅电极图案的处理包括：

在所述基板的整个表面上形成栅电极材料；以及

通过利用激光去除所述栅电极材料的预定部分而形成预定的栅电极图案。

4.根据权利要求1的方法，其中所述形成半导体层图案和欧姆接触层图案的处理包括：

在所述栅绝缘层的整个表面上顺序地形成半导体层材料和欧姆接触层材料；以及

通过利用激光去除所述半导体层材料和欧姆接触层材料的预定部分而形成预定的半导体层图案和预定的欧姆接触层图案。

5.根据权利要求1的方法，其中所述形成源电极和漏电极图案的处理包括：

在包括所述欧姆接触层图案的基板的整个表面上形成源电极和漏电极材料；以及

通过利用激光去除所述源电极和漏电极材料的预定部分而形成预定的源电极图案和预定的漏电极图案。

6.根据权利要求1的方法，还包括：

在包括所述源电极和漏电极图案的基板的整个表面上形成钝化层；以及

形成与所述源电极图案电连接的像素电极图案。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述形成钝化层的处理包括在所述钝化层中形成接触孔以便将所述像素电极图案与所述源电极图案电连接的步骤；以及

其中所述形成像素电极图案的处理包括在包括具有接触孔的钝化层的基板的整个表面上形成像素电极材料，以及通过利用激光去除所述像素电极材料的预定部分以形成预定的像素电极图案的步骤。

8.根据权利要求6所述的方法，其中所述形成像素电极图案的处理包括：

在所述钝化层上形成像素电极图案；以及

将激光施加于所述像素电极图案以便将所述像素电极图案与所述源电极图案电连接。

9.一种制造TFT的方法，包括：

在基板上形成栅电极图案；

在所述栅电极图案上形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成半导体层图案；

在所述半导体层图案上形成源电极和漏电极图案，其中所述源电极和漏电极图案在彼此之间相距固定间隔；

在所述源电极和漏电极图案上形成钝化层；以及

形成与所述源电极图案电连接的像素电极图案，

其中上述的用于形成栅电极图案、半导体层图案、源电极和漏电极图案、以及像素电极图案的处理中的至少一个处理是通过在基板的整个表面上形成相应的材料，并通过使用激光从基板上去除所述相应材料的预定部分的步骤来执行的。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括：

与所述栅电极图案同时地形成栅焊垫电极图案；

与所述源电极和漏电极图案同时地形成数据焊垫电极图案；以及

与所述像素电极图案同时地形成栅焊垫图案和数据焊垫图案。

11.根据权利要求9的方法，其中所述通过使用激光去除相应材料的预定部分的处理是通过利用具有第一宽度的第一激光从基板的第一区域中去除相应材料，并且同时利用具有第二宽度的第二激光从基板的除所述第一区域之外的第二区域中去除相应材料来执行的，其中所述第二宽度宽于所述第一宽度。

12.根据权利要求9的方法，其中所述形成像素电极图案的处理包括：

在所述钝化层上形成像素电极图案；以及

将激光施加于所述像素电极图案以便将所述像素电极图案与所述源电极图案电连接。