[发明专利]从复合矿物中提取金属无效
| 申请号: | 200980137607.1 | 申请日: | 2009-07-24 |
| 公开(公告)号: | CN102165078A | 公开(公告)日: | 2011-08-24 |
| 发明(设计)人: | 雷蒙德·彼得·甘农;亚历山大·弗吕格尔;布鲁斯·弗农·麦克杜格尔 | 申请(专利权)人: | 美特奎斯特研究印度私人有限公司 |
| 主分类号: | C22B3/04 | 分类号: | C22B3/04;C22B9/10 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 丁业平;金小芳 |
| 地址: | 印度班*** | 国省代码: | 印度;IN |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 复合 矿物 提取 金属 | ||
1.一种从矿物或精矿中提取金属的方法,包括下列步骤:
在存在合适的助熔剂材料以降低包含目标金属的混合物的熔融温度的条件下,在加热的处理容器中在用于形成均匀熔体的最低温度下使所述包含目标金属的混合物熔融,以制备熔融的离子基质,其中该熔融的离子基质主要为无定形的并且为吸湿性的;以及
冷却所述基质。
2.一种从包含目标金属的混合物中提取目标金属的方法,包括下列步骤:
在存在合适的助熔剂材料以降低包含目标金属的混合物的熔融温度的条件下,在加热的处理容器中在用于形成均匀熔体的最低温度下使所述包含目标金属的混合物熔融,以制备熔融的离子基质,其中所述均匀熔体至少包含所述目标金属和二氧化硅;以及
冷却所述基质。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法,其中所述熔融的离子基质中存在有二氧化硅,并且该二氧化硅的含量为总量的约30质量%。
4.根据权利要求3所述的方法,其中如果由于所述包含目标金属的混合物或合适的助熔剂材料的组成而导致不存在二氧化硅,则将二氧化硅添加到所述熔融的离子基质中。
5.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述熔融的离子基质为无定形的可溶性混合物。
6.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中将所述助熔剂加入到处理容器中,然后加热以形成熔融的助熔剂池,并将所述包含目标金属的混合物逐步地加入到所述熔融的助熔剂池中。
7.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中助熔剂与包含目标金属的材料的比值介于约1∶0.5的下限和1∶3的上限之间。
8.根据权利要求7所述的方法,其中助熔剂与包含目标金属的材料的最佳比值为约1∶1。
9.根据前述权利要求中任一项所述的方法,还包括对所述熔融的离子基质进行电积的步骤。
10.根据前述权利要求中任一项所述的方法,还包括在淬火流体中对所述熔融的离子基质进行淬火的步骤。
11.根据权利要求11所述的方法,其中所述流体为气体。
12.根据权利要求11或12所述的方法,还包括对所述淬火流体进行电积的步骤。
13.根据前述权利要求中任一项所述的方法,还包括采用强制沉淀机制回收所述目标金属的步骤。
14.根据权利要求11所述的方法,还包括使用CO2将所述助熔剂材料再生的步骤,其中所述CO2是由用于加热所述加热的处理容器的燃烧过程产生的。
15.一种用于从包含目标金属的混合物中提取目标金属的装置,所述装置包括:
加热的处理容器,该处理容器用于在存在合适的助熔剂材料以降低包含目标金属的混合物的熔融温度的条件下,在用以形成均匀的熔融的离子基质的最低温度下,使所述包含目标金属的混合物熔融,其中所述均匀的熔融的离子基质至少包含所述目标金属;以及
相联的冷却组件,其适合于冷却所述均匀的熔融的离子基质。
16.根据权利要求16所述的装置,其中所述加热的处理容器还设置有一个或多个电极。
17.根据权利要求17所述的装置,其中所述一个或多个电极通有AC电流,以增加所述熔融的离子基质的热量。
18.根据权利要求17所述的装置,其中所述一个或多个电极通有DC电流。
19.根据权利要求17至19中任一项所述的装置,其中所述的一个或多个电极能够在所述加热的处理容器中移动。
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