[发明专利]用于高温化学场效应晶体管(ChemFET)废气传感器的适用于废气的保护层

权利要求书

1.用于制造包括有至少一个敏感元器件(3)的传感器元件(1)的方法，有以下步骤：

(a)将由无残留地可以热分解的材料制成的屏蔽层(31)涂覆在敏感元器件(3)上，其中敏感元器件(3)通过屏蔽层(31)基本完全被遮盖住，

(b)在屏蔽层(31)上涂覆由热稳定材料制成的保护层(33)，

(c)通过热解作用或者低温导引的氧等离子体去除屏蔽层(33)。

2.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，无残留地可以热分解的材料是可以热分解的聚合物。

3.按照权利要求1或者2所述的方法，其特征在于，热稳定的材料是陶瓷材料，尤其是硅氮化物，硅氧化物，铝氧化物，锆氧化物或者由它们的混合物。

4.按照权利要求1至3中之一所述的方法，其特征在于，无残留地可热分解材料涂覆在敏感元器件(3)上的涂层厚度在10μm至2mm之间的范围里。

5.按照权利要求1至4中之一所述的方法，其特征在于，无残留地可热分解材料通过配料，喷墨打印，填塞打印，离心涂镀或者浸渍涂覆在敏感元器件(3)上。

6.按照权利要求1至5中之一所述的方法，其特征在于，用于涂覆在敏感元器件(3)上的无残留地可以热分解的材料溶解在溶剂里，或者作为溶剂里的悬浮液。

7.按照权利要求6所述的方法，其特征在于，在涂覆由无残留地可热分解材料组成的屏蔽层(31)之后，使敏感元器件(3)被烘干，以便去除溶剂。

8.按照权利要求1至7中之一所述的方法，其特征在于，通过等离子体喷射法涂覆用于保护层(33)的热稳定材料。

9.按照权利要求1至8中之一所述的方法，其特征在于，保护层(33)的热稳定材料在步骤(c)中的热解期间进行烧结。

10.按照权利要求1至9中之一所述的方法，其特征在于，步骤(c)中的热解在富氧的情况中进行。

11.传感器元件，包括有至少一个敏感元器件(3)和由热稳定材料组成的保护层(33)，其中敏感元器件(3)被热稳定材料组成的保护层(33)遮盖住，其特征在于，敏感元器件(3)和保护层(33)相互有间隔。

12.按照权利要求11所述的传感器元件，其特征在于，敏感元器件(3)是气敏的场效应晶体管。

13.按照权利要求11或者12所述的传感器元件，其特征在于，由热稳定材料组成的保护层(33)是多孔的。