[发明专利]基于表面等离子体激元的光调制器有效
申请号: | 200980132524.3 | 申请日: | 2009-08-13 |
公开(公告)号: | CN102124395A | 公开(公告)日: | 2011-07-13 |
发明(设计)人: | A·科布亚科夫;K·B·斯帕克斯;A·扎哈里安 | 申请(专利权)人: | 康宁股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/01 | 分类号: | G02F1/01;G02F1/03 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 项丹 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 表面 等离子体 调制器 | ||
相关申请的交叉参考
本申请要求2008年8月15日提交的题为“基于表面等离子体激元的光调制器”的美国临时专利申请第61/189,100号的优先权和权益,本文以该申请的内容为依据并将其全文结合于此。
发明领域
本发明一般涉及光调制器,具体涉及基于表面等离子体激元效应的光调制器。
背景技术
人们将光调制器用于各种光学系统,通常是以快速的方式改变光束的强度,从而将信息赋予到载体光学信号上。在基于波导的光学系统中,例如使用光纤的光通信系统中,将使用光调制器将信息编码到用波导引导的光上。光调制器的其它应用包括将其作为快速开关,用于进行逻辑操作,以及作为光门(light gate),选择性地阻挡或传输光,而同时不一定需要将信息赋予到光束上。
现有技术的光调制器通常是基于电光(EO)的或者基于电吸收(EA)的。前者是基于线性电-光(Pockels)效应,而后者利用多量子阱异质结构中的Franz-Keldysh效应或者量子限制的Stark效应。基于EO的调制器通常使用由制造集成光学器件和系统的标准方法(例如Ti-内扩散,质子交换等)用EO材料(通常是铌酸锂)制造的Mach-Zehnder干涉仪(MZI)。不幸的是,因为MZI对外与光纤相连,MZI和波导之间的连接会导致不希望有的光信号衰减。另外,衰减过程包括将一道光束分成两道光束,将相对相位赋予光束,于是使光束发生干涉。这样产生了相当复杂的系统和方法。
反之,基于EA的调制器可以与激光器集成在单个芯片上。但是,它们通常具有约为10dB的较低的消光比(即对应于逻辑“1”和“0”的功率水平之比)。目前使用的EAM体积很大,无法直接将其与包含不同材料的系统和/或器件集成。
某些光纤光调制器力图依赖于使用表面等离子体激元。表面等离子体激元(SP)是一种电磁波,其在满足某些条件的情况下在金属层和介电层(可以是空气)之间的界面处传播。基于SP的光调制器使用能够将受引导的光载带的能量选择性地转化为SP的结构。通过选择性地改变转化为SP的功率的量,使得受引导的光波选择性地衰减,以实现所需的模拟调制或数字调制。
迄今为止,为了达到激发SP所需的条件,基于SP的光纤光调制器依赖于与特定金属-电介质结构连接的横向(即平行于光纤轴)光。例如,在一种情况下,通过波导的传播模式以及波导外部的金属-电介质界面支持的等离子体激元模式的渐逝连接实现光强度调制。其它的方法使用棱镜或光栅获得倾斜的入射角,以激发SP。
发明概述
本发明的第一个方面涉及一种光调制器,其包括中心轴,该调制器在操作波长下使用布洛赫表面等离子体激元(BSP)效应,以在受到施加的电压的时候调制输入光。所述光调制器包括调制介电常数的(P-M)光栅,该光栅包括表面,以及垂直于所述表面并且与光轴基本对准的中心轴。所述P-M光栅包括金属区段和/或金属和电介质区段的周期性设置,这些区段限定光栅表面并且限定调制的介电常数。所述光调制器还包括第一和第二EO基片,所述基片各自具有可以根据施加的电压而变化的折射率。所述第一和第二EO基片沿着光轴设置,从而将P-M光栅夹在中间,形成一种当通过可操作地设置在至少一个EO基片上的电极对至少一个EO基片施加电压时可以支持BSP的结构。
本发明的第二个方面涉及一种光调制器,其包括中心轴,该调制器在操作波长下使用BSP效应,从而在受到施加的电压的时候调制输入光。所述光调制器包括EO基片,该基片具有基本平行的第一表面和第二表面,所述基片的折射率可以根据施加的电压而变化。所述光调制器还包括第一和第二P-M光栅,所述光栅设置成将EO基片夹在中间,从而形成第一和第二基片-光栅界面,当通过可操作地设置在EO基片上的电极对EO基片施加电压的时候,所述界面可以支持相应的第一和第二BSP。所述光调制器还包括第一和第二介电基片,所述介电基片分别设置在与第一和第二P-M光栅紧邻并且与EO基片相反的位置。
本发明的第三个方面涉及一种利用BSP效应调制输入光,以形成调制过的输出光的方法。所述方法包括提供至少一个限定操作波长的P-M光栅。所述方法还包括使得所述至少一个P-M光栅与至少一个EO基片面接,从而形成至少一个能够支持至少一个BSP的光栅-基片界面,所述至少一个EO基片的折射率在施加电压的情况下会发生变化。所述方法还包括使得输入光通过所述至少一个光栅-基片界面,同时改变施加于所述至少一个EO基片的电压,以改变所述至少一个光栅-基片界面在操作波长下支持至少一个BSP的能力,从而使得输入光选择性地衰减,形成调制过的输出光。
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