[发明专利]显示装置及其驱动方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示装置，更特定而言，涉及使用有机EL显示器、FED等电流驱动元件的显示装置及其驱动方法。

背景技术

近年来，薄型、轻量、能够高速响应的显示装置的需要增加，随之，有机EL(Electro Luminescence：电致发光)显示器、FED(FieldEmission Display：场发射显示器)的研究开发正在活跃地进行。

有机EL显示器所包括的有机EL元件被施加的电压越高、流动的电流越多，就以越高的亮度发光。但是，有机EL元件的亮度和电压的关系受到驱动时间、周边温度等的影响而容易变动。因此，如果在有机EL显示器中使用电压控制型的驱动方式，则抑制有机EL元件的亮度的偏差(变动)变得非常困难。与此相对，有机EL元件的亮度与电流大致成比例，该比例关系不易受到周边温度等外在因素的影响。因此，有机EL显示器优选使用电流控制型的驱动方式。

另一方面，显示装置的像素电路、驱动电路使用由非晶硅、低温多晶硅、CG(Continuous Grain：连续结晶)硅等构成的TFT(Thin FilmTransistor：薄膜晶体管)来构成。但是，TFT的特性(例如阈值电压、移动度)容易产生偏差。因此，在有机EL显示器的像素电路设置补偿TFT的特性的偏差的电路，通过该电路的作用，抑制有机EL元件的亮度的偏差。

在电流驱动型驱动方式中，补偿TFT的特性的偏差的方式大致分为利用电流信号控制在驱动用TFT中流动的电流的量的电流程序方式和利用电压信号控制该电流的量的电压程序方式。如果使用电流程序方式则能够补偿阈值电压和移动度的偏差，如果使用电压程序方式则仅能够补偿阈值电压的偏差。

但是，在电流程序方式中存在以下两个问题：第一，因为处理非常微少的量的电流，所以像素电路、驱动电路的设计很困难；第二，因为在设定电流信号期间容易受到寄生电容的影响，所以难以大面积化。与此相对，在电压程序方式中，寄生电容等的影响轻微，电路设计也比较容易。此外，移动度的偏差对电流量施加的影响与阈值电压的偏差对电流量施加的影响相比更小，移动度的偏差在TFT制作工序中能够被某种程度地抑制。因此，使用电压程序方式的显示装置也能够获得充分的显示品质。

关于采用电流驱动型的驱动方法的有机EL显示器，历来已知有以下所示的像素电路。图14是专利文献1中记载的像素电路和输出开关的电路图。在图14中，像素电路120包括晶体管T1～T4、有机EL元件OLED和电容器Cs，输出开关121包括晶体管T5～T8和电容器C1。像素电路120与电源配线Vp、共用阴极Vcom、扫描线G1i、G2i和数据线Sj连接。晶体管T5～T8的一端分别被施加电压V0、数据电压Vdata、阈值校正电压Vpre和电压Va。电压Va是接近晶体管T3的阈值电压的电压。

像素电路120按照图15所示的时序图动作。如图15所示，在阈值电压写入期间的前半部分，晶体管T1、T2、T5、T7成为导通状态，晶体管T4、T6、T8成为非导通状态。此时，数据线Sj被施加阈值校正电压Vpre，晶体管T3的栅极端子和漏极端子也被施加相同的电压。在阈值电压写入期间的后半部分，晶体管T7为非导通状态。此时，电容器Cs中蓄积的电荷经晶体管T1～T3被放电，晶体管T3的栅极端子电位上升至与晶体管T3的阈值电压相应的电平Vt。此外，在阈值电压写入期间的后半部分，晶体管T8仅在规定的时间成为导通状态。由此，数据线Sj被施加用于对浮游电容Cf进行充电的电压Va，晶体管T3的栅极端子电位在短时间内达到Vt。

在显示数据电压写入期间，晶体管T2、T6成为导通状态，晶体管T1、T4、T5、T7、T8成为非导通状态。在从阈值电压写入期间向显示数据电压写入期间转变时，电容器C1的电极间电压不变化。因此，当电容器C1的一个电极(与晶体管T5、T6连接的电极)的电位从V0变化为Vdata时，电容器C1的另一个电极的电位也仅变化相同的量。由此获得的电位(Vt+Vdata-V0)经晶体管T2施加至晶体管T3的栅极端子。