[发明专利]降压开关稳压器无效
申请号: | 200980116770.X | 申请日: | 2009-05-07 |
公开(公告)号: | CN102027663A | 公开(公告)日: | 2011-04-20 |
发明(设计)人: | 相马将太郎 | 申请(专利权)人: | 株式会社理光 |
主分类号: | H02M3/155 | 分类号: | H02M3/155;H02M7/21 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 郭定辉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 降压 开关 稳压器 | ||
1.一种使用电感器的非绝缘型的降压开关稳压器,所述降压开关稳压器包括多个高压MOS晶体管和多个低压MOS晶体管,且被配置为将输入到输入端子的电压降低到预定恒压并从输出端子输出所述恒压,所述输入电压高于或等于所述低压MOS晶体管的耐受电压,并且低于所述高压MOS晶体管的耐受电压,所述降压开关稳压器包括:
由NMOS晶体管形成的开关元件,所述开关元件被配置为根据输入到其栅极的第一控制信号执行开关从而以所述输入电压对所述电感器充电;
由NMOS晶体管形成的同步整流元件,所述同步整流元件被配置为根据输入到其栅极的第二控制信号执行开关,并且响应于所述开关元件关断来停止充电所述电感器,以对所述电感器放电;
电源电路部分,被配置为产生和输出预定电源电压;
电容器,连接到所述开关元件和所述电感器的连接处,并且具有施加到其一端的电源电压;
第一驱动电路部分,被配置为根据输入到其的第三控制信号控制所述开关元件的开关;
第二驱动电路部分,被配置为根据输入到其的第四控制信号控制所述同步整流元件的开关;和
控制电路部分,被配置为分别产生和输出所述第三和第四控制信号到所述第一和第二驱动电路部分,以使得从所述输出端子输出所述预定恒压,
其中,所述第二驱动电路部分被配置为从所述电容器提供向其功率。
2.如权利要求1所述的降压开关稳压器,其中,所述预定电源电压低于或等于所述低压MOS晶体管的耐受电压。
3.如权利要求2所述的降压开关稳压器,其中:
所述第二驱动电路部分包括被配置为输出第五控制信号到所述同步整流元件的栅极的输出电路,且
所述输出电路包括高压MOS晶体管之一以输出高电平信号,并且包括低压MOS晶体管之一以输出低电平信号。
4.如权利要求3所述的降压开关稳压器,其中,所述第二驱动电路部分进一步包括电平移动电路,被配置为关于输入的第四控制信号执行电平移动从而将所述输入的第四控制信号转换为具有从所述电容器提供的电源电压的幅度的信号,并被配置为输出所转换的信号到所述输出电路中的高压MOS晶体管之一的栅极。
5.如权利要求4所述的降压开关稳压器,其中,所述输出电路中高压MOS晶体管之一的栅极的耐受电压低于其它高压MOS晶体管的耐受电压。
6.如权利要求1所述的降压开关稳压器,其中,来自所述电源电路部分的电源电压通过二极管被施加到所述电容器。
7.如权利要求6所述的降压开关稳压器,其中:
所述第二驱动电路部分包括被配置为输出第五控制信号到所述同步整流元件的栅极的输出电路,和
所述输出电路包括高压MOS晶体管之一以输出高电平信号并包括低压MOS晶体管之一以输出低电平信号。
8.如权利要求7所述的降压开关稳压器,其中,所述第二驱动电路进一步包括电平移动电路,被配置为关于输入的第四控制信号执行电平移动从而将所述输入的第四控制信号转换为具有从所述电容器提供的电源电压的幅度的信号,并且被配置为输出所转换的信号到所述输出电路中的高压MOS晶体管之一的栅极。
9.如权利要求8所述的降压开关稳压器,其中,所述输出电路中高压MOS晶体管之一的栅极的耐受电压低于其它高压MOS晶体管的耐受电压。
10.如权利要求1所述的降压开关稳压器,进一步包括:
开关电路部分,被配置为根据从所述控制电路部分输入到其的第五控制信号,通过执行开关来控制所述电源电压和所述电容器的连接。
11.如权利要求10所述的降压开关稳压器,其中:
所述第二驱动电路部分包括配置为输出第五控制信号到所述同步整流元件的栅极的输出电路,和
所述输出电路包括高压MOS晶体管之一以输出高电平信号并包括低压MOS晶体管之一以输出低电平信号。
12.如权利要求11所述的降压开关稳压器,其中,所述第二驱动电路部分进一步包括电平移动电路,被配置为关于输入的第四控制信号执行电平移动从而将所述输入的第四控制信号转换为具有从所述电容器提供的电源电压的幅度的信号,并且被配置为输出所转换的信号到所述输出电路中的高压MOS晶体管之一的栅极。
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