[发明专利]电子器件

权利要求书

1.一种电子器件，包括：

有机半导体(OSC)层(3)，

栅极电极(5)，

包含电介质材料并且位于OSC层(3)和栅极电极(5)之间的栅极绝缘体层(4)，

可选地，覆盖栅极电极(5)和栅极绝缘体层(4)的附加的绝缘体层(6)，

其中该器件还包括在栅极绝缘体层(4)与栅极电极(5)之间的或在栅极电极(5)与附加的绝缘体层(6)之间的至少一个夹层(7)，

其特征在于，夹层(7)包括含有至少一个极性重复单元和至少一个非极性重复单元的共聚物，其中极性单元意指其均聚物的表面能≥30mN/m的重复单元，而非极性单元意指其均聚物的表面能25mN/m的重复单元。

2.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，它包括：

-可选地，衬底(1)，

-源极和漏极电极(2)，

-OSC层(3)，

-栅极电极(5)，

-位于OSC层(3)和栅极电极(5)之间的包含电介质材料的栅极绝缘体层(4)，

-可选地，在栅极电极(5)之上的第二绝缘体层(6)，

-位于栅极绝缘体(4)与栅极电极(5)之间的或者栅极电极与第二绝缘体层(6)之间的包含如在权利要求1中所限定的共聚物的夹层(7)。

3.根据权利要求1或2所述的电子器件，其特征在于，夹层(7)包括表面能＞25mN/m的共聚物。

4.根据权利要求1-3中的一个或多个所述的电子器件，其特征在于，夹层(7)包括电容率为2.0-40的材料。

5.根据权利要求1-4中的一个或多个所述的电子器件，其特征在于，夹层(7)包括电容率比栅极绝缘体层(4)的材料高的材料。

6.根据权利要求1-5中的一个或多个所述的电子器件，其特征在于，栅极绝缘体层(4)包括电容率为1.1-3.0的材料。

7.根据权利要求1-6中的一个或多个所述的电子器件，其特征在于，夹层(7)的厚度为5-50nm。

8.根据权利要求1-7中的一个或多个所述的电子器件，其特征在于，夹层(7)包括含有1，1-二氟乙烯和/或1-氟乙烯重复单元以及选自具有2-8个C原子的全氟化烷撑的一个或多个重复单元的共聚物。

9.根据权利要求1-8中的一个或多个所述的电子器件，其特征在于，夹层(7)包括分子式1或2的共聚物：

其中n是＞1的整数，0＜x＜1，0＜y＜1，0＜z＜1，0＜a＜1，0＜b＜1，x+y+z＝1，a+b＝1。

10.根据权利要求1-9中的一个或多个所述的电子器件，其特征在于，夹层(7)的共聚物包括含有一个或多个可交联基团的一个或多个单元。

11.根据权利要求1-10中的一个或多个所述的电子器件，其特征在于，夹层(7)还包括可固化或固化的有机材料。

12.根据权利要求1-4中的一个或多个所述的电子器件，其特征在于，它还包括在夹层(7)之上的固化材料的稳定化层(8)。

13.根据权利要求1-12中的一个或多个所述的电子器件，其特征在于，它是顶栅有机场效应晶体管(OFET)。

14.一种用于制备根据权利要求1-13中的一个或多个所述的电子器件的方法，其包括以下步骤：

b)在OSC层(3)上淀积第一电介质材料层(4)，以及

c1)在第一电介质层(4)上淀积如在权利要求1-12中的一个或多个中所限定的至少一个夹层(7)，

d1)在夹层(7)的至少一部分上淀积栅极电极(5)，

e1)可选地，在栅极电极(5)和夹层(7)上淀积第二电介质材料层(6)，

或者，用以下步骤替代步骤c1)-e1)：

c2)在第一电介质层(4)的至少一部分上淀积栅极电极(5)，

d2)在栅极电极(5)和第一电介质层(4)上淀积如在权利要求1-8中的一个或多个中所限定的至少一个夹层(7)，

e2)在夹层(7)上淀积第二电介质材料层(6)。