[发明专利]用于测量片材温度的方法和装置无效

专利信息
申请号: 200980103930.7 申请日: 2009-01-22
公开(公告)号: CN101932920A 公开(公告)日: 2010-12-29
发明(设计)人: 托马斯·杰弗里·罗纳德·贝农;伊恩·汉密尔顿·瑞德里;斯图尔特·弗朗西斯·梅特卡夫;安德鲁·梅洛;本·威尔曼 申请(专利权)人: 兰德国际仪器公司
主分类号: G01J5/00 分类号: G01J5/00;G01J5/52
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 郑小粤
地址: 英国莱*** 国省代码: 英国;GB
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摘要:
搜索关键词: 用于 测量 温度 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种测量片材温度的方法,所述片材布置成使得所述片材在腔的至少一侧形成,以便增强在所述腔附近的所述片材的有效发射率,所述方法包括:

a)使用热成像装置来产生所述腔内部的至少一部分的热图,以探测所述腔发出的辐射,所述热图包括多个像素,每个所述像素具有表示由所述腔的对应区域发出的辐射的像素值;

b)识别所述多个像素的第一子集,所述第一子集的像素的像素值满足预定的标准;

c)使用被识别的所述第一子集的像素来确定在所述热图上的表示所述腔内最佳发射率增强的线;以及

d)根据所确定的线选择所述多个像素的第二子集,并产生沿着所确定的线的温度分布,其中所述温度分布从与所述第二子集的像素中的每个像素相关的像素值中获得。

2.如权利要求1所述的方法,还包括以预定的帧率重复步骤a)到d)。

3.如权利要求1或2所述的方法,其中,通过从所述热图的至少两列、优选地一半的列、更优选地每10列的1列中的每个中选择具有最高像素值的像素来识别所述第一子集的像素。

4.如权利要求1或2所述的方法,其中,通过从所述热图的至少两行、优选地一半的行、更优选地每10行的1行中的每个中选择具有最高像素值的像素来识别所述第一子集的像素。

5.如前述权利要求中任意一项所述的方法,其中,所述表示所述腔内最佳发射率增强的线包括所述第一子集的像素。

6.如前述权利要求中任意一项所述的方法,其中,通过产生最佳拟合所述第一子集的像素的线,优选地使用最小二乘拟合法,来确定所述表示所述腔内最佳发射率增强的线。

7.如前述权利要求中任意一项所述的方法,其中,所述表示所述腔内最佳发射率增强的线是直线的。

8.如前述权利要求中任意一项所述的方法,其中,所述表示所述腔内最佳发射率增强的线是多项式或包括多于一个的线性部分的曲线。

9.如前述权利要求中任意一项所述的方法,其中,在步骤d)中,选择所述第二子集的像素包括:(i)识别最接近于所确定的线的像素,被识别的像素形成所述第二子集。

10.如权利要求9所述的方法,其中,在步骤(i)中,通过从所述热图的至少一些列、优选地所有列中的每个中选择最接近于所确定的线的像素来选择最接近于所确定的线的像素。

11.如权利要求9所述的方法,其中,在步骤(i)中,通过从所述热图的至少一些行、优选地所有行中的每个中选择最接近于所确定的线的像素来选择最接近于所确定的线的像素。

12.如权利要求9到11中任意一项所述的方法,其中,在步骤d)中,选择所述第二子集的像素还包括:

(ii)对于在步骤(i)中被识别的像素中的至少一些中的每一个,限定包括所述被识别的像素的像素阵列,比较所述阵列内的像素的像素值,以定位在所述阵列内具有最高像素值的像素,并用在所述第二子集中定位的像素代替在步骤(i)中被识别的像素。

13.如权利要求12所述的方法,其中,所述阵列具有n×m个像素的预定尺寸,n和m是可调节的。

14.如权利要求13所述的方法,其中,所述阵列具有5×5个像素的预定尺寸。

15.如权利要求12到14中任意一项所述的方法,其中,所述阵列以所述被识别的像素为中心。

16.如前述权利要求中任意一项所述的方法,还包括:

d1)将与所述第二子集的像素相关的像素值与阈值进行比较,以识别所述片材的一个或多个边缘,终止所确定的线以便不扩展到任何被识别的边缘之外,并根据被终止的线修改所述第二子集的像素。

17.如权利要求16所述的方法,其中,所述阈值是可调节的。

18.如权利要求16所述的方法,其中,所述阈值是基于与在前面图像帧中的修改的第二子集的像素相关的像素值的函数。

19.如前述权利要求中任意一项所述的方法,还包括:

e)执行坐标变换,以根据所述腔和所述热成像装置的已知几何结构产生与沿着所述片材上的方向的真实位置相关的第二温度分布。

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