[发明专利]发光器件

权利要求书

1.一种发光器件，包括：-

反射层；以及

半导体层，所述半导体层包括在所述反射层上的发光层，

其中，在所述反射层与所述发光层的中心之间的距离对应于相长干涉条件。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述相长干涉条件是(2m+1)/4×(λ/n)±α，其中m是等于或大于0的整数，λ是发射光的波长，n是在所述发光层与所述反射层之间的介质的平均折射率，以及α是根据所述反射层的种类的波动范围(α＜(1/8)×(λ/n))。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述反射层包括Ag、Pt和Al中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的发光器件，包括：所述反射层上的电介质层。

5.根据权利要求4所述的发光器件，其中，所述电介质层包括氧化物导电层。

6.根据权利要求5所述的发光器件，其中，所述电介质层包括在单氧化物导电层中的或者在氧化物导电层中的电介质图案。

7.根据权利要求4所述的发光器件，其中，所述电介质层的平均折射率小于所述半导体层的折射率。

8.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述发光层的厚度小于(1/2)×(λ/n)。

9.根据权利要求1所述的发光器件，包括：在所述半导体层上的光子晶体结构。

10.根据权利要求9所述的发光器件，其中，所述光子晶体结构的深度大于(λ/n)。

11.根据权利要求1所述的发光器件，包括：

电介质层，所述电介质层在所述反射层与所述半导体层之间，

其中，所述电介质层包括第一导电氧化物层、在所述第一导电氧化物层上的中间层以及在所述中间层上的第二导电氧化物层。

12.一种发光器件，包括：

反射层；

电介质层，所述电介质层在所述反射层上；

半导体层，所述半导体层在所述电介质层上，所述半导体层包括第一半导体层、发光层以及第二半导体层，

其中，在所述反射层与发光层的中心之间的距离满足(2m+1)/4×(λ/n)±α，这里m是等于或大于0的整数，λ是发射光的波长，n是所述发光层与所述反射层之间的介质的平均折射率，以及α是根据反射层的种类的波动范围(α＜(1/8)×(λ/n))。

13.根据权利要求12所述的发光器件，其中，所述电介质层包括：第一导电氧化物层、在所述第一导电氧化物层上的中间层以及在所述中间层上的第二导电氧化物层。

14.根据权利要求12所述的发光器件，包括：

支撑层，所述支撑层在所述反射层下方，

其中，所述第一半导体层包括光子晶体结构。

15.根据权利要求12所述的发光器件，其中，所述半导体层包括光子晶体结构，其中，在所述光子晶体结构中的孔的深度或柱状结构的高度在300nm至3000nm内，以及所述光子晶体的平均周期在0.7μm至5μm内。