[发明专利]脱模薄膜有效
| 申请号: | 200980102135.6 | 申请日: | 2009-01-08 |
| 公开(公告)号: | CN101909875A | 公开(公告)日: | 2010-12-08 |
| 发明(设计)人: | 渡边真哉 | 申请(专利权)人: | 帝人杜邦薄膜日本有限公司 |
| 主分类号: | B32B15/08 | 分类号: | B32B15/08;B32B27/00;B32B27/36;H01G4/30 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 吴娟;高旭轶 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 脱模 薄膜 | ||
1.脱模薄膜,该脱模薄膜是在聚酯薄膜的至少一个面上具有脱模层的脱模薄膜,
在脱模薄膜的长度方向上施加0.2MPa以上4.0MPa以下的张力时,100℃下的长度方向的伸长率SMD满足下述式(1);
在与脱模薄膜的长度方向相垂直的方向上施加0.01MPa张力时,100℃下的与长度方向相垂直的方向的伸长率STD满足下述式(2);
脱模薄膜在无载荷下、100℃下的长度方向的热伸长率HSMD满足下述式(3);
脱模薄膜在无载荷下、100℃下的与长度方向相垂直的方向的热伸长率HSTD满足下述式(4);
长度方向的热伸长率HSMD和与上述长度方向相垂直的方向的热伸长率HSTD满足下述式(5):
0.0961X-0.45≤SMD≤0.0961X-0.25 (1)
式(1)中,X为施加于薄膜单位面积上的张力MPa,X表示0.2MPa以上4.0MPa以下的值,
-0.6≤STD≤-0.2 (2)
-0.4≤HSMD≤-0.1 (3)
-0.6≤HSTD≤-0.2 (4)
HSMD>HSTD (5)
。
2.权利要求1所述的脱模薄膜,其中,脱模层表面通过接触式三维表面粗糙度计测定的最大高度Rmax在100nm以上600nm以下的范围。
3.权利要求1或2所述的脱模薄膜,其中,脱模层表面和不具有脱模层的一侧的表面通过接触式三维表面粗糙度计测定的最大高度Rmax分别为100nm以上600nm以下的范围。
4.权利要求1~3中任一项所述的脱模薄膜,其中,脱模层含有相对于脱模层的重量为0.5%(质量)以上10%(质量)以下的表面活性剂。
5.权利要求1~3中任一项所述的脱模薄膜,其中,纵向的厚度偏差为3.0%以下,横向的厚度偏差为3.0%以下。
6.权利要求1~5中任一项所述的脱模薄膜,其中,脱模层是通过在单轴拉伸的聚酯薄膜上涂布脱模层形成组合物来形成的。
7.权利要求1~6中任一项所述的脱模薄膜,该脱模薄膜用于制备陶瓷片。
8.权利要求7所述的脱模薄膜,其中陶瓷片用于制备陶瓷电容器。
9.薄膜卷,该薄膜卷是将权利要求1~6中任一项所述的脱模薄膜卷绕成卷状而得到的,卷表层的维式硬度Hv为0以上450以下。
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