[实用新型]一种整体屏蔽型插拔式终端

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种电缆连接终端，特别是涉及一种整体屏蔽型插拔式终端。

背景技术

中压电缆附件市场中，热缩、冷缩电缆附件基本上二分天下。通过调查我们了解到，从电缆附件市场的发展趋势看，市场对产品材料性能的要求不断提高，同时对产品结构的合理性、安装的方便性以及使用的可靠性更加重视。而冷缩电缆附件产品在这些方面有着热缩产品无法比拟的优势，国内电缆附件市场正处于由热缩型为主逐步向冷缩电缆附件产品过渡阶段。

插拔式终端在运行时，由于高压电场的作用，其表面产生感应电荷，表面电集聚到一定程度时，会引起终端放电，造成烛烧终端绝缘材料，导致绝缘水平下降。所以在插拔式终端表面复合半导层并可靠接地。

目前使用的组合式屏蔽型插拔头其外面屏蔽层大都采用喷涂的方式，外加金属接地环接地来消除感应电荷，电缆外半导处低压端采用应力锥主体均衡电应力集中问题，电缆线芯处高压端采用半导屏蔽来均衡高压电场中的不规则电场。这种方法存在的问题是对喷涂的材料、方式、涂层厚度有较高的要求。另外插拔头由于模具和工艺的原因，外表面存在一条贯穿整个终端的合模线。该合模线处理不当，会造成该处电场强度畸形。电场相对不稳定，电气性能较低。由于低压端使用了应力锥主体来消除低压端的电应力集中，应力锥主体与插拔件主体之间必然存在界面，不可避免的存在缺陷。

发明内容

本实用新型针对上述现有技术的不足，提供了一种有效消除了合模线及应力锥与插拔终端之间存在的界面的使用安全、安装快捷、通用性强的整体屏蔽型插拔式终端。

本实用新型的技术方案是这样实现的：

一种整体屏蔽型插拔式终端，该终端整体呈T型，是由横向设置的圆筒形上部和竖向设置的圆筒形下部连接构成，所述的圆筒形上部、下部均包括绝缘层，在绝缘层外表面上复合固定有外半导体屏蔽层，在圆筒形下部上端的内壁面上复合固定有内半导体屏蔽层，在圆筒形下部下端的内壁面上复合固定有应力锥。上述整体屏蔽型插拔式终端，无需应力锥主体，将均衡电缆外半导处低压端应力集中问题的应力锥直接复合在插拔终端圆筒形下部下端内壁面上，消除了以往插拔终端主体与应力锥主体之间的界面的影响；电缆线芯处高压端采用半导体内屏蔽来均衡高压端的不规则电场，使电缆线芯处高压端与整体屏蔽型插拔式终端内部内半导体屏蔽层有良好接触，内半导体屏蔽层避免了局部放电。

作为优选，在圆筒形下部下端的外半导体屏蔽层的两端设有硅橡胶接地线耳。硅橡胶接地线耳代替金属接地圈可保证接地更为可靠。

作为优选，所述的外半导体屏蔽层的厚度为2mm～3mm。复合在外部的外半导体屏蔽层代替了以往的外部喷涂层。由于外半导体屏蔽层采用模具硫化成型，保证了外半导体屏蔽层良好的内部和外部表面平整性。外半导体屏蔽层整体复合在整体屏蔽型插拔式终端绝缘层外，消除了可能出现的气隙，避免了局部放电。

作为优选，所述的外半导体屏蔽层的厚度为2.5mm。

本实用新型特别适用于制作20kV规格，通过对现有插拔式终端的结构改进，不仅消除了合模线，还消除了以往插拔终端主体与应力锥主体之间的界面产生的影响，从而消除附件的内部安全隐患。本终端通常采用复合成型二次硫化工艺制备，消除了橡胶内部的小分子残留物，确保附件正常运行30年以上。

附图说明

图1为本实用新型实施例所述整体屏蔽型插拔式后插终端的结构示意图；

图2为本实用新型实施例所述整体屏蔽型插拔式前插终端的结构示意图。

具体实施方式

本实用新型的具体实施方式如下：

实施例：本实用新型的一种整体屏蔽型插拔式终端分为两种，如图1所示，一种是后插终端；如图2所示，另一种是前插终端；两种终端整体均呈T型，是由横向设置的圆筒形上部6和竖向设置的圆筒形下部7连接构成，所述的圆筒形上部、下部6、7均包括绝缘层1，在绝缘层1外表面上复合固定有厚度为2.5mm的外半导体屏蔽层2，圆筒形下部7上端为高压端，下端为低压端；在圆筒形下部7上端的绝缘层内壁面上复合固定有内半导体屏蔽层5，在圆筒形下部7下端的绝缘层内壁面上复合固定有应力锥4，在圆筒形下部7下端的外半导体屏蔽层2的两端设有硅橡胶接地线耳3。

本实用新型在插拔式终端圆筒形下部下端的绝缘层内壁面上直接复合固定有应力锥，消除了以往插拔终端主体与应力锥主体之间存在的界面产生的影响，使插拔终端安全性大大提高。