[实用新型]腐蚀腔装置及气相腐蚀设备

说明书

【技术领域】

本实用新型涉及一种腐蚀腔装置及气相腐蚀设备，特别涉及一种对硅片表面进行腐蚀处理的腐蚀腔装置及气相腐蚀设备。

【背景技术】

随着微电子技术和光电子技术的发展，越来越需要把不同的器件集成在一起。目前较为常用的，是在完成电路制作的硅片的背面做上一层金属，以达到该电路散热和与其他电子器件连接的目的。硅片表面容易被氧化而生成二氧化硅(SiO2)，而影响硅片与金属的接触，进而影响与其他器件的连接性能，最终将影响产品整体的工作性能。现有技术中，通常采用湿法腐蚀的方法来去除硅片表面的二氧化硅，即通过人工操作将硅片放入到装有氢氟酸溶液的容器中进行浸泡，然后再用水对硅片进行清洗，最后再对硅片经行烘干处理。

然而，这种通过将硅片浸泡在腐蚀溶液进行腐蚀以去除二氧化硅的方法，在清洗烘干后，二氧化硅又易于重新生长出来，从而导致工艺质量和产品良率下降。另外，经过烘干的过程，由于水的表面张力的作用，使在微电机械系统的释放工艺中造成硅的悬臂梁与基底产生粘连现象，进而导致工艺质量和产品良率下降。此外，由于氢氟酸具有剧毒性，尤其对人体的皮肤及骨头具有强烈的腐蚀作用，通过人工操作很容易因保护措施不完善而对人体产生伤害，以及对环境造成污染。

【实用新型内容】

本实用新型的目的就是为了解决现有技术对硅片进行腐蚀处理时存在的二氧化硅易重生、产品良率较低、工艺步骤复杂、安全隐患和环境污染等技术问题，本实用新型提供一种腐蚀腔装置及使用该腐蚀腔装置的气相腐蚀设备。

本实用新型的具体技术方案如下：

本实用新型提供一种气相腐蚀设备，其包括一腐蚀气体产生装置和一腐蚀腔装置，该腐蚀气体产生装置将产生的氮气和氢氟酸的混合气体输入到该腐蚀腔装置；该腐蚀腔装置包括一腔体、一上盖、至少一进气端、至少一排气端和至少一用于承载硅片的承载装置，该上盖位于该腔体的顶部，该承载装置位于该腔体的底部，该进气端和该排气端分别位于该腔体的两端，该进气端与该腐蚀气体产生装置相连。

所述的气相腐蚀设备进一步包括一与该腐蚀腔装置的排气端相连的尾气收集装置，该尾气收集装置对该腐蚀腔装置生成附产物尾气进行回收处理。

所述的气相腐蚀设备进一步包括一氮气输入装置，该氮气输入装置将氮气输入到该腐蚀气体生成装置。

所述的气相腐蚀设备进一步包括一PLC控制装置，该氮气输入装置和该承载装置在该PLC控制装置控制下工作。

所述的腐蚀气体产生装置包括一液体容器、一进气管和一出气管，该液体容器内装载氢氟酸溶液，该进气管和该出气管都穿过该液体容器的顶部，该进气管的一端接收外部输入的氮气，该进气管的另一端延伸到该装载氢氟酸溶液的液体容器的底部，该出气管的一端延伸到该液体容器内且邻近该液体容器的顶部，并且其未接触该液体容器内的氢氟酸溶液，该出气管的另一端与该腐蚀腔装置的进气端相连。

所述的腐蚀气体产生装置包括一液体容器、一液体回收容器、一第一进气管、一第二进气管、一第一出气管和一第二出气管，该液体容器内装载氢氟酸溶液，该液体回收容器装载有空气，该第一进气管和该第一出气管都穿过该液体容器的顶部，该第二进气管和该第二出气管都穿过该液体回收容器的顶部，该第一进气管的一端与该氮气输入装置的气体容器端口相连，该第一进气管的另一端延伸到该装载氢氟酸溶液的液体容器的底部，该第一出气管的一端延伸到该液体容器内且邻近该液体容器的顶部，并且该第一出气管的一端未接触该液体容器内的氢氟酸溶液，另一端与该第二进气管相连，该第二出气管与该腐蚀腔装置的进气端相连。

所述的承载装置包括一载片盘、一旋转轴和一动力装置，该载片盘位于该腔体内的底部，该旋转轴的一端穿过该腔体与该载片盘的底部固定连接，另一端与该动力装置传动连接，该动力装置位于该承载装置的底部，该动力装置驱动该旋转轴转动，使得该载片盘在该旋转轴带动下进行转动。

本实用新型还提供一种腐蚀腔装置，其包括一腔体、一上盖、至少一进气端、至少一排气端和至少一用于承载硅片的承载装置，该上盖位于该腔体的顶部，该承载装置位于该腔体的底部，该进气端和该排气端分别位于该腔体的两端。

所述的承载装置包括一载片盘、一旋转轴和一动力装置，该载片盘位于该腔体内的底部，该旋转轴的一端穿过该腔体与该载片盘的底部固定连接，另一端与该动力装置传动连接，该动力装置驱动该旋转轴转动，使得该载片盘在该旋转轴带动下进行转动。

所述的腐蚀腔装置可以收容装载有硅片的外部装载架，并使得该装载架固定在该承载装置的载片盘上。