[实用新型]低电容过电压保护模块

说明书

技术领域

本实用新型是对通讯用抗浪涌保护器件的改进，尤其涉及一种具有三端平衡低电容过电压保护模块。

背景技术

申请人在先申请专利03278784.7过电压保护用半导体抗浪涌器件，通过在固体放电芯片一端或二端串接有反并联二极管，从而大大降低了极间电容，使之能够适应高频、宽带通讯要求，同时也仍然可以用于低频通讯的过电压、抗浪涌保护。然而由于其采用二端保护，所以只能保护通迅二线间过电压，使用范围受到限制，而在某些线路中需要三端保护，即二线间、以及二线与地线间的过电压、抗浪涌保护，例如程控交换机总配线架保安单元，用此二端保护器件，必须要用三组将其呈三角形组合才能实现，增加了保护单元的成本，不利于保安单元的小型化。

国外有三端平衡保护用模块，它由三个放电管，通过Y(图3)或者三角形(图4)接法，实现三端平衡保护。三个放电管三角形连接，造成极间电容很大约200pF，由于极间电容大，易造成信号被旁路，因此只能用于低频(例如≤10MHz)通迅线路、器材保护，不适用于高速(例如≥100MHz)通迅网络；三个放电管Y型接法，虽然可以降低极间电容，但电容仍相对较大，约在80PF左右，同样不能满足高频场合使用要求。其次，采用三个放电管，同样也造成保安单元成本增加。因此仍有值得改进的地方。

实用新型内容

实用新型目的在于克服上述已有技术的不足，提供一种成本低，极间电容小，能够实现三端平衡保护的低电容过电压保护模块。

实用新型目的实现，主要改进是在固体放电芯片二端，一端串接3个负极相并的二极管，另一端串接3个正极相并的二极管，使保护模块具有三端结构，从而可以实现三端保护，实现实用新型目的。具体说，实用新型低电容过电压保护模块，包括固体放电芯片及两端分别串接有二极管，其特征在于固体放电芯片一端串接3.个负极相并的二极管，另一端串接3个正极相并的二极管，并且分别将固体放电芯片一端的一个二极管与另一端的一个二极管相联形成至少三个输出端。

实用新型所说固体放电芯片与二极管，与申请人在先申请专利所述相同。

为降低成本，所说二极管，可以采用未加封装的。

为进一步降低极间电容，还可以在各二极管另一端串联一或几个同向二极管。

实用新型低电容过电压保护模块，相对于现有技术，由于在固体放电芯片两端分别串接有三个二极管，从而使得保护模块由二端保护结构变为三端保护结构，因此能够用于三端保护线路，并且保持了原二端结构的低电容特性，有效避免了因采用减小固体放电管芯片面积来降低极间电容，而导致电性能的下降，保护功能减弱。实用新型只需一个固体放电芯片，外加6个二极管，较申请人在先申请专利二端保护，只是增加了二个二极管，而在使用上较原需三组三角形组合，不仅减少了6个二极管和二个放电管芯片，还减少了二次封装，成本可以降低60％以上，并且可以实现小体积化。较国外三个放电管三角形或者Y接法，不仅可以达到低电容(例如≤30PF)性能，而且可以降底成本40％以上。是一种含盖低频通讯和高频、宽带通讯新型低电容过电压保护模块，扩大了半导体抗浪涌器件使用范围。

以下结合二个具体实施例，示例性说明及帮助进一步理解实用新型，但实施例具体细节仅是为了说明实用新型，并不代表实用新型构思下全部技术方案，因此不应理解为对实用新型总的技术方案限定，一些在技术人员看来，不偏离实用新型构思的非实质性增加和/或改动，例如以具有相同或相似技术效果的技术特征简单改变或替换，均属实用新型保护范围。

附图说明

图1为实用新型第一实施例电路结构图。

图2为实用新型第二实施例电路结构图。

图3为现有技术三个放电管Y型接法三端平衡过电压保护模块电路结构图。

图4为现有技术三个放电管△型接法三端平衡过电压保护模块电路结构图。

具体实施方式

实施例1：参见图1，实用新型低电容过电压保护模块，由一个SA230固体放电芯片1，一端串接3个负极相并的二极管2.2、2.4、2.6，另一端串接3个正极相并的二极管2.1、2.3、2.5，并使固体放电芯片一端的一个二极管2.1与另一端的一个二极管2.2相联形成相同二个输出端(TIP端)，固体放电芯片一端的另一个二极管2.3与另一端的另一个二极管2.4相联形成另一个相同二个输出端(RING端)，其余二个二极管形成二个共用接地端(地线端)。此结构可以封装成6个引出脚形式。其中所有二极管采用未封装形式。