[实用新型]由硅矿产出单晶硅或多晶硅连续纯化反应处理装置

权利要求书

1、一种由硅矿产出单晶硅或多晶硅连续纯化反应处理装置，其特征在于其包括：

一批次进料室(2)，由PLC控制门将其分隔为上室(21)及下室(22)，其中该上室(21)的上端与一真空储料槽装置连接，该下室(22)的下端设有一第一输送管道(A)，且该下室(22)永远保持无空气、无水份的环境；

一高温熔融炉(3)，其上端经由一第一PLC控制阀(3a)与该下室(22)下端的该第一输送管道(A)连接，该高温熔融炉(3)的下部设有一第二输送管道(B)，且该第二输送管道(B)在与该高温熔融炉(3)连接的一端上设有一第二PLC控制阀(3b)，在该高温熔融炉(3)的下端设有一第三输送管道(C)，且在该第三输送管道(C)上设有一第三PLC控制阀(3c)，另外在该高温熔融炉(3)的上端通过一第四PLC控制阀(3d)与一杂质处理装置相连；

一高温震荡炉(4)，其上端经由该第三PLC控制阀(3c)与该第三输送管道(C)连接，该高温震荡炉(4)的下部设有一第五输送管道(E)，该第五输送管道(E)在与该高温震荡炉(4)连接的一端上设有一第五PLC控制阀(4a)，且该第五输送管道(E)的另一端接入该第二输送管道(B)，该高温震荡炉(4)的下端设有一第六输送管道(F)，该第六输送管道经由一第六PLC控制阀(4b)与一真空室连接；

一高温还原炉(5)，其上端的一侧连接该第二输送管道(B)的另一端，该高温还原炉(5)上端的另一侧与一冷凝器及一活性炭吸附装置连接，该高温还原炉(5)下部的一侧通过一第七PLC控制阀(5a)经由一PLC控制阀组(5a₁到5a_n)，与还原剂1到n连接，该高温还原炉(5)下部的另一侧设有一第八输送管道(H)，且在该第八输送管道(H)上设有一第八PLC控制阀(5b)；以及

一长单晶硅炉(6)，其上端经由该第八PLC控制阀(5b)与该第八输送管道(H)连接。

2、根据权利要求1所述的由硅矿产出单晶硅或多晶硅连续纯化反应处理装置，其特征在于其中所述的输送管道(A、B、C、D、E、F、G、H)均控制在液态硅的温度上，其采用双层管，内管处加热，在加热的内管与外管的管层间中空部分的空气冷却，内管承受排出的高温的液态二氧化硅或液态硅。

3、根据权利要求1所述的由硅矿产出单晶硅或多晶硅连续纯化反应处理装置，其特征在于其中所述的高温熔融炉(3)、该高温震荡炉(4)、该高温还原炉(5)、该长单晶硅炉(6)，均设有炉体重量计，以测量高温炉体内，物质的重量，并利用该重量，控制质能变化量及质流率的变化量。

4、根据权利要求1所述的由硅矿产出单晶硅或多晶硅连续纯化反应处理装置，其特征在于其中所述的杂质处理装置由一集尘设备连接一冷凝器，该冷凝器再分别与一活性碳吸附装置及一液态收集装连接。