[实用新型]一种磁控溅射溅镀后的太阳能电池冷却装置有效
申请号: | 200920094606.0 | 申请日: | 2009-10-29 |
公开(公告)号: | CN201584426U | 公开(公告)日: | 2010-09-15 |
发明(设计)人: | 杨继泽;刘万学;刘志才;崔庆春;马力斌;强艳建;赵松雪;杜宏荀 | 申请(专利权)人: | 吉林庆达新能源电力股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 吉林省长春市新时代专利商标代理有限公司 22204 | 代理人: | 石岱 |
地址: | 136001 *** | 国省代码: | 吉林;22 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 磁控溅射 溅镀后 太阳能电池 冷却 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种磁控溅射生产线中的冷却装置,具体的说是一种在磁控溅射溅镀中对太阳能电池的冷却装置。
背景技术
在现有的太阳能电池生产中,磁控溅射对太阳能电池进行溅镀Al层的过程中,电池的温度会很高,一般会达到50℃,溅镀完成,太阳能电池从磁控溅射溅镀出来以后,直接到室温的话,电池会骤然降温,不利于太阳能电池的应力释放,严重时会有炸片的情况发生,所以需要对从磁控溅射工序中出来的电池进行逐步降温,保证太阳能电池的性质稳定。
发明内容
本实用新型的目的是要提供一种结构简单合理、能够在磁控溅射工序后对太阳能电池逐步冷却的装置。
本实用新型的目的是这样实现的:该冷却装置包括并排设置的两个冷却箱、电池挂片箱、传送导轨,所述的传送导轨设置在两个冷却箱的上面,电池挂片箱挂装在传送导轨上。
所述的前面的冷却箱的温度设置为40℃,后面的冷却箱的温度设置为30℃。
所述的传送导轨贯穿于两个冷却箱,并在冷却箱以后延伸出一段置于室温下,即直接在室温下对太阳能电池进行冷却。
本实用新型由于采用上述结构,能够对太阳能电池在磁控溅射工序后逐步冷却,有利于太阳能电池的应力释放,保证了太阳能电池的性质稳定,不会有炸片的情况发生。
附图说明
图1为本实用新型整体结构示意图。
图2为本实用新型侧面投影图。
具体实施方式
由附图1所示:该冷却装置包括并排设置的两个冷却箱1、2、电池挂片箱3、传送导轨4,所述的传送导轨4设置在两个冷却箱1、2的上面,电池挂片箱3挂装在传送导轨4上。
所述的冷却箱1的温度设置为40℃,冷却箱2的温度设置为30℃。
所述的传送导轨4贯穿于两个冷却箱1、2,并在冷却箱1、2以后延伸出一段5置于室温下,即直接在室温下对太阳能电池进行冷却。
工作过程如下:装有太阳能电池的挂片箱3沿传送导轨4从磁控溅射溅镀出来以后,电池温度大约在50℃,使其先通过第一个冷却箱1对其冷却,使太阳能电池降温至40℃,再通过第二个冷却箱2,降温至30℃,从第二个冷却箱2出来以后,直接进入室温,在传送导轨4的后段5上逐步冷却至室温。整个过程使太阳能电池从磁控溅射出来时的50℃逐步冷却到室温。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吉林庆达新能源电力股份有限公司,未经吉林庆达新能源电力股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200920094606.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:大功率LED防气帘散热结构
- 下一篇:用于控制增强器运动的外部控制装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的