[实用新型]多晶硅还原炉电极外套强制冷却装置无效
申请号: | 200920090542.7 | 申请日: | 2009-06-01 |
公开(公告)号: | CN201433108Y | 公开(公告)日: | 2010-03-31 |
发明(设计)人: | 赵双喜;林亮亮;薛爱芳;李开英;白建峰;赵金勇 | 申请(专利权)人: | 三门峡化工机械有限公司 |
主分类号: | C01B33/03 | 分类号: | C01B33/03 |
代理公司: | 郑州科维专利代理有限公司 | 代理人: | 张欣棠;郭乃凤 |
地址: | 472000河南省三门峡市*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多晶 还原 电极 外套 强制 冷却 装置 | ||
一、技术领域:
本实用新型涉及一种冷却装置,尤其是涉及一种多晶硅还原炉电极外套强制冷却装置。
二、背景技术:
多晶硅还原炉主要由底盘、含夹套冷却介质的钟罩式双层炉体、电极、视镜孔、底盘冷却水进水管、底盘冷却水出水管、电极冷却水进水管、电极冷却水出水管及其他附属部件组成。炉体主体采用不锈钢材质制成,以减少设备材质对产品的污染。电极是多晶硅还原炉的核心部件,它在工作中利用电能使硅元素从混合介质中还原出来,因此,电极的工作状态直接影响多晶硅的产量和产品质量,电极在工作中产生的热量必须由电极内部和底盘夹腔中的冷却介质(目前采用水)带走。现在多晶硅还原炉底盘腔的冷却方式均采用冷却介质集中进出的方法,其缺点是冷却介质进入腔体后再分散至各电极座的过程中首先被底盘加热,从而影响了对电极座的冷却效果。尤其是采用水作为冷却介质时顶部汽化使底盘夹腔中不能满液导致电极座的顶部不能充分冷却直接影响甚至损坏电极与电极座之间的绝缘体,进而使还原炉不能正常操作并影响多晶硅的产量和品质。
三、实用新型内容:
本实用新型所要解决的技术问题是:克服现有技术的不足,提供一种设计新颖、结构合理、冷却效果好且绝缘效果好的多晶硅还原炉电极外套强制冷却装置。
本实用新型为解决技术问题所采取的的技术方案是:
一种多晶硅还原炉电极外套强制冷却装置,含有底盘、底盘夹腔、电极座、电极、冷却介质进入总管和冷却介质排出总管,所述每一电极座的外壁均设置有一个夹套,所述夹套下端与所述底盘夹腔的下部底板密封连接,其上端与所述底盘之间留有间隙,所述每一夹套的下部均分别通过冷却介质分布管与所述冷却介质进入总管连通。
所述底盘的底部设置有集气腔,该集气腔通过气体导管向外界排放。
所述集气腔为所述底盘的底部上设置的盲孔,其数量为两个以上,沿圆周均布。
所述气体导管为L型,其一端位于所述集气腔内,另一端贯穿所述底盘夹腔的侧壁而出。
所述电极座的数量为14个以上,沿圆周分布。
本实用新型的有益效果是:
1、本实用新型冷却介质通过分布管路直接进入各冷却夹套内对电极座外部进行冷却,而后从夹套顶部进入底盘夹腔对底盘进行冷却,因而电极座的冷却效果好,从而保证多品硅的产量和产品质量。
2、本实用新型底盘的底部设置有集气腔,底盘夹腔内产生的气(汽)体集中在集气腔中不占据底盘夹腔的空间,并通过导管排出炉外,这样就能保证底盘夹腔内为满液状态,从而使电极座及底盘得到充分冷却,保证电极及绝缘体的正常工作,提高使用的安全性。
3、本实用新型在现有还原炉的基础增加的施工量很少,其制造成本较低,易于推广,推广后具有良好的经济效益。
四、附图说明:
图1为多晶硅还原炉电极外套强制冷却装置的结构示意图;
图2为图1中A处放大图;
图3为图1中B处放大图。
五、具体实施方式:
实施例:参见图1、图2和图3,图中,多晶硅还原炉电极外套强制冷却装置含有底盘2、底盘夹腔3、电极座4、电极5、冷却介质进入总管6和冷却介质排出总管7,底盘2与炉体1连接,电极5安装在电极座4中,每一电极座4的外壁均设置有一个夹套8,夹套8下端与底盘夹腔3的下部底板密封连接,其上端与底盘2之间留有间隙,每一夹套8的下部均分别通过冷却介质分布管9与冷却介质进入总管6连通;底盘2的底部设置有集气腔10,该集气腔10通过气体导管11与外界大气连通。
集气腔10为底盘2的底部上设置的盲孔,其数量为两个以上,沿圆周均布。气体导管11为L型,其一端位于集气腔10内,另一端贯穿底盘夹腔3的侧壁而出;所述电极座的数量为14个以上,沿圆周分布,呈环形排列。工作时,冷却介质进入总管6,再进入冷却介质分布管9,然后直接进入各冷却夹套8内,对电极座4外部进行冷却,而后冷却介质从夹套8顶部进入底盘夹腔3对底盘2进行冷却,因而电极座4的冷却效果好,从而保证多晶硅的产量和产品质量。底盘夹腔3内产生的气(汽)体集中在集气腔10中不占据底盘夹腔的空间,并通过气体导管11排出炉外,这样就能保证底盘夹腔3内为满液状态,从而使电极座4及底盘2得到充分冷却,保证电极5及绝缘体的正常工作。
改变集气腔的具体结构形式和数量、改变气体导管的结构形式、以及改变电极座的数量能够组成多个实施例,均为本实用新型的常见变化范围,在此不一一详述。
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