[实用新型]硅电容传声器无效

专利信息
申请号: 200920018364.7 申请日: 2009-01-17
公开(公告)号: CN201360349Y 公开(公告)日: 2009-12-09
发明(设计)人: 宋青林;庞胜利;谷芳辉 申请(专利权)人: 歌尔声学股份有限公司
主分类号: H04R19/04 分类号: H04R19/04;B81B7/00
代理公司: 潍坊正信专利事务所 代理人: 宫克礼
地址: 261031山东省潍坊*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 电容 传声器
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种传声器,尤其是涉及一种具有新型封装结构的硅电容传声器。

背景技术

近年来,随着手机、笔记本等电子产品体积不断减小、性能越来越高,也要求配套的电子零件的体积不断减小、性能和一致性提高。在这种背景下,作为重要零件之一的传声器产品也推出了很多的新型产品,利用半导体制造加工技术而实现批量生产的硅电容传声器为其中的代表产品。而硅电容传声器中的关键设计内容为封装技术,而且封装所占用的成本比例较高,所以,最近也出现了很多关于硅电容传声器封装技术的专利,例如申请号为CN200720028114.2的中国专利公开了一种名为“硅电容传声器”的封装技术。附图7表示了专利CN200720028114.2中公开的一种硅电容传声器封装结构的剖视图。

如图7所示,硅电容传声器包括一个线路板基板121,一个MEMS声学芯片131安装在所述基板121上,并且一个防护装置101(具体可以是一个方槽形的外壳)通过其内部的隔板102和所述基底121结合在一起形成两个空腔111和112,所述MEMS声学芯片131安装在其中一个空腔111内,一个设置在基底内部的声学通道123、124和125连通所述MEMS声学芯片131和另一个空腔112,所述两个空腔上设有可以连通硅电容传声器外部的声孔103。依靠这种技术,可以使硅电容传声器的声孔开在硅电容传声器上面,而声音通过声孔进入以后,可以通过封装结构形成的声音通道作用到MEMS声学芯片的下方,这种技术可以使得硅电容传声器的灵敏度更高,可以解决低频下跌的技术缺陷,使得频响曲线更好。

然而,这种设计需要比较复杂的结构设计,防护装置(CN200720028114.2中的外壳)一般需要注塑工艺制作,线路板基板的内部的声音通道制作难度较大造成尺寸增加以及成本增加,并且因为硅电容传声器的尺寸较小,这种设计使得硅电容传声器的声孔过于靠近硅电容传声器的侧部或者角部,这给硅电容传声器的后期安装使用带来了不便。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种结构简单、制作成本低廉、声孔位置设计较为便利的硅电容传声器。

为解决上述技术问题,本实用新型采用的技术方案是:硅电容传声器,包括线路板基板和带有第一声孔的外壳形成的硅电容传声器的保护结构,所述保护结构内部的线路板基板表面上安装有盖子,所述线路板基板表面和所述盖子的边缘密闭结合,所述盖子上设置有第二声孔,MEMS声学芯片(通过微机械系统,为硅电容传声器的关键零件)安装在所述盖子上并覆盖所述第二声孔,所述盖子还包括有凸起的垂直通道,所述垂直通道的上端设置有第三声孔,所述第三声孔和第一声孔之间通过环形的第一密封圈连通,所述线路板基板表面和所述盖子之间设有水平声音通道,所述水平声音通道连通所述垂直通道和所述第二声孔。

本技术方案的改进在于:所述盖子为一体设置的金属盖子。

本技术方案的改进在于:所述水平声音通道为通过在所述线路板基板表面上设置凹槽形成。

本技术方案的改进在于:所述线路板基板表面和所述盖子的边缘通过环形的第二密封圈结合,二者之间形成所述水平声音通道。

本技术方案的改进在于:所述水平声音通道为通过在所述盖子表面上设置凹槽形成。

本技术方案的改进在于:所述外壳为金属槽形外壳。

本技术方案的改进在于:所述MEMS声学芯片和所述盖子之间通过环形的第三密封圈结合。

本技术方案的改进在于:所述第一密封圈为环形黏胶、导电胶或者有机塑胶圈。

本技术方案的改进在于:所述第二密封圈为环形黏胶、导电胶或者焊锡。

本技术方案的改进在于:所述第三密封圈为环形黏胶或者导电胶。

一般硅电容传声器的结构中,大部分会包含有电容、基板外侧的焊盘等电子元器件或者结构,但此类器件或者结构的有无、位置以及硅电容传声器中的电路连接设计并不影响本实用新型的创造性,所以,在本实用新型中并没有体现。

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