[发明专利]磁控溅射靶及采用该磁控溅射靶的磁控溅射装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种磁控溅射装置，尤其涉及一种真空镀膜用磁控溅射靶及采用该磁控溅射靶的磁控溅射装置。

背景技术

现有的真空镀膜一般是通过发射Ar⁺粒子，在真空室内撞击镀膜材料，使得材料的原子从加热源离析出来，并打到被镀物体的表面上从而形成膜层。

磁控溅射靶是真空镀膜的重要设备之一。现有磁控溅射靶中，使用的磁芯相对镀膜材料以及被镀膜基板均固定，由于磁芯之间的性能差异，使得部分Ar⁺粒子无法被磁场吸收而部分过于集中于磁场范围内，从而导致Ar⁺粒子在磁控溅射靶周围分布不均匀，一方面影响镀膜质量，另一方面降低了靶材利用率。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种能够提高镀膜均匀度和靶材利用率的磁控溅射靶及具有该磁控溅射靶的磁控溅射装置。

一种磁控溅射靶，其包括靶座、至少一个靶材、多个磁芯以及磁芯平移机构。所述靶材固定在所述靶座上，所述多个磁芯固定在所述磁芯平移机构上。所述每两个相邻磁芯的磁性相反。所述磁芯平移机构包括支撑板、多个辊轴以及传动条，支撑板边缘固定在所述靶座上且与所述靶材平行，多个辊轴设置在该支撑板上并能够相对该支撑板旋转，传动条环绕该多个辊轴以及支撑板设置，所述磁芯平移机构能够带动所述多个磁芯相对所述靶材平移。

一种磁控溅射装置，其通过镀膜粒子撞击靶材进行镀膜。该磁控溅射装置包括屏蔽罩、基板承载座、基板以及磁控溅射靶。所述屏蔽罩形成有一第一腔体，基板承载座、基板以及磁控溅射靶位于第一腔体内，基板承载座与磁控溅射靶正对设置，基板安装于基板承载座上，磁控溅射靶枢接在所述屏蔽罩内壁上。磁控溅射靶包括靶座、至少一个靶材、多个磁芯以及磁芯平移机构，所述靶材固定在所述靶座上，所述多个磁芯固定在所述磁芯平移机构上，所述每两个相邻磁芯的磁性相反。所述磁芯平移机构包括支撑板、多个辊轴以及传动条，支撑板边缘固定在所述靶座上且与所述靶材平行，多个辊轴设置在该支撑板上并能够相对该支撑板旋转，传动条环绕该多个辊轴以及支撑板设置，所述磁芯平移机构能够带动所述多个磁芯相对所述靶材平移。

与现有技术相比，本发明的磁控溅射装置，在磁控溅射靶上设置磁芯平移机构，使得镀膜过程能够通过运动的磁场来控制镀膜粒子均匀分布，从而能够改善镀膜均匀度。且通过多个磁芯的磁场分布，提高镀膜粒子的撞击次数，从而提高靶材利用率。

附图说明

图1为本发明实施方式提供的磁控溅射装置的剖面示意图；

图2为图1的磁控溅射装置的磁控溅射靶的立体图；

图3为图2的磁控溅射靶沿III-III线的剖示图；

图4为图2的磁控溅射靶沿IV-IV线的剖示图。

具体实施方式

下面将结合附图对本发明作进一步的详细说明。

如图1所示，本发明实施方式提供的一种磁控溅射装置100，其用于通过镀膜粒子撞击靶材对待镀膜的基板40进行镀膜。本实施方式中，所述镀膜粒子为Ar⁺粒子。该磁控溅射装置100包括屏蔽罩10、基板承载座20以及磁控溅射靶30。所述屏蔽罩10形成有一第一腔体101，基板承载座20以及磁控溅射靶30均位于第一腔体101内。基板承载座20正对磁控溅射靶30设置，其用于承载该待镀膜的基板40。磁控溅射靶30枢接在所述屏蔽罩10的内壁上。

所述屏蔽罩10上开设有抽真空孔11、靶材接地线孔12以及基板接地线孔13。所述基板40上连接有一基板接地线14，该磁控溅射靶30上连接有一靶材接地线15，该基板接地线14从该基板接地线孔13引出第一腔体101外，该靶材接地线15从该靶材接地线孔12引出该第一腔体101外。

如图2至图4所示，磁控溅射靶30包括靶座31、至少一个靶材33、多个磁芯35以及磁芯平移机构37。本实施方式中，所述靶材33的数量为两个。所述两个靶材33固定在所述靶座31上，所述靶座31能够带动该靶材33相对该屏蔽罩10转动。所述多个磁芯35固定在所述磁芯平移机构37上并设定在所述两个靶材33之间。所述磁芯平移机构37能够带动所述多个磁芯35相对所述靶材33转动。