[发明专利]溅镀转盘及其应用的溅镀装置无效

专利信息
申请号: 200910302401.1 申请日: 2009-05-18
公开(公告)号: CN101892457A 公开(公告)日: 2010-11-24
发明(设计)人: 黄建豪 申请(专利权)人: 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 转盘 及其 应用 装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种转盘装置,尤其涉及一种溅镀转盘及一种应用所述溅镀转盘的溅镀装置。

背景技术

溅镀是一种常用的表面处理方法,其主要是利用辉光放电(glow discharge)使氩气(Ar)离子撞击靶材(target)表面,靶材的原子被弹出而堆积在基板(substrate)表面形成薄膜。如图1所示的一种现有的溅镀装置10,其主要包括一个托架11,两个旋转设置在所述托架11上方的待溅镀基板12,以及多个设置在所述待溅镀基板12上方一定距离处的靶材13。在所述溅镀装置10的使用过程中,在靶材13与托架11以及待溅镀基板12之间的空间内会形成一个离子区,该离子区的离子体分别落在靶材13、托架11及待溅镀基板12上后使得靶材13与托架11以及待溅镀基板12分别构成了平板电容器。由于靶材13至托架11之间的距离不同于靶材13至待溅镀基板12之间的距离,因此,靶材13与托架11形成的平板电容器的电容大小与靶材13与待溅镀基板12形成的平板电容器的电容的大小不同。由于靶材13与托架11及基板12形成了不同电容量的平板电容器,因此由上述平板电容器所产生的电场也不相同,从而导致离子区内的离子体因所受到的电场的静电力不同而使得离子的分布不均匀,从而影响溅镀装置10的溅镀效果。

发明内容

有鉴于此,有必要提供一种可在溅镀时使离子均匀分布的溅镀转盘及应用该溅镀转盘的溅镀装置。

一种溅镀转盘,其包括一个基体,一个驱动装置,至少一个传动装置。所述基体连接在驱动装置上,所述传动装置可转动地连接在所述基体上并与所述驱动装置相啮合。所述基体包括一个上表面以及一个下表面,在所述上表面上开设有至少一个凹槽用以容置待溅镀基板,所述凹槽的深度以使容置在所述凹槽内的待溅镀基板的上表面与基体的上表面平齐为准。

一种溅镀装置,其包括一个容置腔体,以及至少一个靶材,所述靶材设置在所述容置腔体顶部内侧。该溅镀装置还包括一个溅镀转盘,所述溅镀转盘设置在所述容置腔体底部内侧与所述靶材相对正且相互间隔一定距离。所述溅镀转盘包括一个基体,一个驱动装置,至少一个传动装置。所述基体连接在驱动装置上,所述传动装置可转动地连接在所述基体上并与所述驱动装置相啮合。所述基体包括一个上表面以及一个下表面,在所述上表面上开设有至少一个凹槽用以容置待溅镀基板,所述凹槽的深度以使容置在所述凹槽内的待溅镀基板的上表面与基体的上表面平齐为准。

相较现有技术,本发明溅镀转盘以及其应用的溅镀装置采用在基体上设置一个凹槽,从而使得靶材与设置在所述凹槽内的待溅镀基板及基体之间的距离相等,从而形成均一的平板电容器,构成一个均匀的电场,使得形成在靶材与待溅镀基板及基体之间的等离子体均匀分布,从而提高溅镀效果。

附图说明

图1是现有技术提供的一种溅镀装置的结构示意图。

图2是本发明较佳实施方式提供的一种溅镀装置的剖视图。

具体实施方式

请参阅图2,本发明较佳实施方式提供的一种溅渡装置100。所述溅渡装置100包括一个容置腔体110,一个溅镀转盘120,以及至少一个靶材130。所述溅镀转盘120设置在所述容置腔体110的内侧底部。所述靶材130设置在所述容置腔体110的顶部内侧与所述溅镀转盘120间隔一定距离。

所述容置腔体110用以形成一个可用以溅镀的空间,该容置腔体110可通过真空机将其抽成真空,并在真空内填充适当的气体如氩气。在该容置腔体110内还设置有辉光放电装置(图未示)将填充在容置腔体110内部的氩气进行电离以产生可以撞击靶材130的等离子体。此外,在所述容置腔体110内还可设置有强磁力磁场将所述等离子体进行加速,从而使得靶材130与等离子体之间的撞击机率增加,提高溅镀速率。

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