[发明专利]低氧控制系统有效
| 申请号: | 200910260767.7 | 申请日: | 2009-12-31 |
| 公开(公告)号: | CN101789359A | 公开(公告)日: | 2010-07-28 |
| 发明(设计)人: | 林松;赵星梅;钟华 | 申请(专利权)人: | 北京七星华创电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
| 代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 胡小永 |
| 地址: | 100016 *** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 低氧 控制系统 | ||
1.一种低氧控制系统,包括依次连接的氮气输送装置、循环风 机和处理腔室,其特征在于,所述处理腔室外部还连接有循环管路和 氧气分析仪,所述氧气分析仪的一入口端与氮气输送装置连接,所述 循环风机上还安装有换气阀门;
所述处理腔室上连接有排气管路,所述排气管路上安装有排气 阀,所述氮气输送装置上包括有控制阀;
所述低氧控制系统还包括控制系统,所述控制系统的一端与氧气 分析仪连接,另一端与所述氮气输送装置上的控制阀连接,所述排气 阀与控制系统连接。
2.如权利要求1所述的低氧控制系统,其特征在于,所述氮气 输送装置上的控制阀为两个并联的二位二通换向阀。
3.如权利要求2所述的低氧控制系统,其特征在于,所述两个 并联的二位二通换向阀之一的后部还连接有流量计。
4.如权利要求3所述的低氧控制系统,其特征在于,所述腔室 还连接有压力检测装置,所述压力检测装置与控制系统连接。
5.如权利要求4所述的低氧控制系统,其特征在于,所述处理 腔室内还安装有过滤器和热交换器,所述控制阀与循环风机的管路之 间还连接有二位二通阀。
6.如权利要求1-5中任一项所述的低氧控制系统,其特征在于, 还包括立式氧化炉装置,所述处理腔室的上部与立式氧化炉的炉口相 连接。
7.一种用于权利要求5的低氧控制系统的操作控制方法,其特 征在于,包括以下步骤:
(1)开启循环风机、氮气输送装置上两个并联的二位二通换向 阀和排气管路上的排气阀以及氧气分析仪,同时补充氮气和排出处理 腔室内的气体;
(2)所述处理腔室内的氧气浓度低于第一阈值时,控制系统自 动关闭一个二位二通换向阀,保留与流量计相连的二位二通换向阀开 启;
(3)所述处理腔室内的氧气浓度低于第二阈值时,控制系统自 动关闭排气阀,控制系统控制通过流量计的氮气流量为 100-500L/min;
(4)所述处理腔室内的压力高于设定值时,系统自动开启二位 二通阀。
8.如权利要求7所述的低氧控制系统的操作控制方法,其特征 在于,所述氧气浓度的第一阈值为30ppm,所述氧气浓度的第二阈值 为10ppm,所述压力的设定值为5000mTorr。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京七星华创电子股份有限公司,未经北京七星华创电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910260767.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





