[发明专利]构成部件的清洗方法

权利要求书

1.一种构成部件的清洗方法，是基板处理装置的构成部件的清洗 方法，该基板处理装置具有处理室和至少一部分面向所述处理室内的 附着有异物的构成部件，能够对所述处理室内搬入搬出异物吸附部件， 该构成部件的清洗方法特征在于，包括：

向所述处理室内搬入所述异物吸附部件的搬入步骤；

在比所述异物吸附部件离所述构成部件更近的区域产生等离子体 的生成步骤；

通过所述等离子体对所述构成部件的溅射，使所述异物从所述构 成部件剥离的步骤；

使所述等离子体消灭的消灭步骤；和

从所述处理室内搬出所述异物吸附部件的搬出步骤，

交替重复所述生成步骤和所述消灭步骤，

使所述异物吸附部件至少在所述消灭步骤中为正电位。

2.如权利要求1所述的构成部件的清洗方法，其特征在于：

在所述生成步骤中历经第一规定时间生成所述等离子体，在所述 消灭步骤中历经第二规定时间消灭所述等离子体，

所述第一规定时间为足够用于通过等离子体溅射使至少一部分所 述异物从所述构成部件剥离的时间，所述第二规定时间为足够用于通 过所述异物吸附部件的正电位吸引至少一部分的所述已剥离的异物使 其到达该异物吸附部件的时间。

3.如权利要求1或2所述的构成部件的清洗方法，其特征在于：

脉冲波式地重复进行所述生成步骤和所述消灭步骤，所述脉冲波 的频率为10Hz～100Hz。

4.如权利要求1或2所述的构成部件的清洗方法，其特征在于：

正弦波式地重复进行所述生成步骤和所述消灭步骤。

5.如权利要求1或2所述的构成部件的清洗方法，其特征在于：

在所述生成步骤中，通过生成表面波等离子体的等离子体生成装 置向所述处理室内填充所述等离子体。

6.如权利要求1或2所述的构成部件的清洗方法，其特征在于：

在所述消灭步骤中，使所述构成部件为负电位。

7.如权利要求1或2所述的构成部件的清洗方法，其特征在于：

在所述生成步骤中，向所述构成部件施加偏置电压。

8.如权利要求1或2所述的构成部件的清洗方法，其特征在于：

在所述生成步骤中，向所述构成部件给予热、冲击和振动中的至 少一种。

9.如权利要求1或2所述的构成部件的清洗方法，其特征在于：

所述异物吸附部件具有捕获所述异物的捕捉部。

10.如权利要求1或2所述的构成部件的清洗方法，其特征在于：

所述基板处理装置为基板干燥清洗装置，所述构成部件为异物捕 集板，所述异物吸附部件为伪晶片，

所述基板干燥清洗装置具有配置在所述处理室内且载置所述伪晶 片的载置台，

搬入所述处理室内的所述伪晶片覆盖所述载置台。

11.如权利要求1或2所述的构成部件的清洗方法，其特征在于：

所述基板处理装置为等离子体蚀刻装置，所述构成部件为上部电 极，所述异物吸附部件为伪晶片，

所述等离子体蚀刻装置还具有配置在所述处理室内且载置所述伪 晶片的载置台，

搬入所述处理室内的所述伪晶片覆盖所述载置台。