[发明专利]对比度增强的垂直配向显示器件有效
| 申请号: | 200910253466.1 | 申请日: | 2009-12-16 |
| 公开(公告)号: | CN101825822A | 公开(公告)日: | 2010-09-08 |
| 发明(设计)人: | 高俊哲;郑光哲;蔡钟哲;郑美惠;尹宁秀 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/139 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张波 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 对比度 增强 垂直 显示 器件 | ||
技术领域
本发明涉及一种液晶显示器件,更具体地,涉及一种垂直配向液晶显示 器件。
背景技术
液晶显示器件(LCD)现在作为重要的平板显示器件之一被广泛使用。 液晶显示器件具有两个显示面板以及插设在面板之间的液晶层,场产生电极 (例如像素电极和公共电极)形成在该两个显示面板上。在液晶显示器件中, 电压被施加到电极,跨过液晶层产生的电场决定了液晶分子的取向。通过根 据显示数据信号来控制入射光偏振,视频图像显示在LCD面板上。
在液晶显示器件之中,垂直配向(VA)模式的液晶显示器件具有高对 比度和宽参考视角(reference viewing angle)的优点,该参考视角被定义为 1∶10的对比度时的视角,也被称为灰度间亮度转换限制角(intergray luminance inversion limitation angle)。在VA模式液晶显示器件中,当没有电 场施加到其上时液晶分子的轴垂直于上显示面板和下显示面板取向。
在垂直配向(VA)模式液晶显示器件中,切口(cutout)或突起可以形 成在场产生电极上以加宽视角。切口或突起改变了附近的液晶分子的取向, 从而加宽了参考视角。
然而,垂直配向(VA)模式液晶显示器件的侧向可见性(lateral visibility) 比正向可见性(front visibility)差。例如,对于具有切口的图案化垂直配向 (PVA)液晶显示器件,图像朝着侧面变得更亮,在最坏情况下,高灰度之 间的亮度差异被消除使得画面图像会呈现为已经倒塌(collapsed)。
在本背景部分公开的信息意在用于理解本发明的背景,因此它可以包含 并不形成已被本领域技术人员公知的现有技术的信息。
发明内容
本发明的一个方面提供了一种具有增强的侧向可见性的优点的垂直配 向液晶显示器件。
在本发明的一个或多个实施例中,基于可变电容器,像素包括高灰度子 像素和低灰度子像素。
本发明的示范性实施例提供了一种显示器件,该显示器件包括多条栅极 线、多条数据线以及连接到多条栅极线之一和多条数据线之一的像素。像素 包括第一子像素和第二子像素。第一子像素包括:第一薄膜晶体管,具有分 别连接到栅极线的控制端和连接到数据线的输入端;以及第一液晶电容器和 第一可变电容器,分别连接到第一薄膜晶体管的输出端。第二子像素包括: 第二薄膜晶体管,具有分别连接到栅极线的控制端和连接到数据线的输入 端;以及第二液晶电容器和第二可变电容器,分别连接到第二薄膜晶体管的 输出端。
第一可变电容器和第二可变电容器可以在施加到栅极电极的电压达到 或超过预定电压时具有第一电容,并且它们在施加到栅极电极的电压小于预 定电压时具有第二电容。
当第一可变电容器和第二可变电容器之一具有第一电容时,另一个可变 电容器可以具有第二电容。
第一可变电容器和第二可变电容器可以每个通过薄膜晶体管形成,该薄 膜晶体管包括栅极电极、半导体层、源极电极和漏极电极,并且源极电极和 漏极电极可以彼此电连接。
第一可变电容器的源极电极和漏极电极可以连接到第一薄膜晶体管的 输出端,第二可变电容器的栅极电极可以连接到第二薄膜晶体管的输出端。
第一电容可以存储在半导体层、源极电极和漏极电极与栅极电极重叠的 区域处。第二电容可以存储在源极电极和漏极电极与栅极电极重叠的区域 处。欧姆接触层可以形成在源极电极和漏极电极与半导体层之间。
第一电容可以存储在半导体层、欧姆接触层以及源极电极和漏极电极与 栅极电极重叠的区域处。第二电容可以存储在欧姆接触层以及源极电极和漏 极电极与栅极电极重叠的区域处。
第一可变电容器和第二可变电容器可以每个包括栅极电极、半导体层和 上电极,其中上电极可以与栅极电极和半导体层部分重叠。第一可变电容器 的上电极可以连接到第一薄膜晶体管的输出端,第二可变电容器的栅极电极 可以连接到第二薄膜晶体管的输出端。
第一电容可以存储在半导体层和上电极与栅极电极重叠的区域处。第二 电容可以存储在上电极与栅极电极重叠的区域处。欧姆接触层可以形成在上 电极与半导体层之间。
第一电容可以存储在半导体层、欧姆接触层和上电极与栅极电极重叠的 区域处。第二电容可以存储在欧姆接触层和上电极与栅极电极重叠的区域 处。
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