[发明专利]开关及其形成方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求在2008年12月2日提交给韩国知识产权局(KIPO)的韩国专利申请10-2008-0121327的优先权，其全部内容通过引用结合于此。

技术领域

本公开涉及一种机电开关及其形成方法，并且更具体而言，涉及一种具有可移动地连接至储存节点的电极的机电开关及其形成方法。

背景技术

动态RAM(DRAM)是一种需要刷新以保持数据有效的固态存储器。DRAM中的存储器单元包括电容器和MOS晶体管。电容器的电荷由于泄漏而衰减，因此存储器必须周期性地刷新以保持电荷。MOS晶体管用作存储器单元中的开关。如果将读取存储器，则由读出放大器在数据线上感测电容器上的电压。如果要求写入或刷新操作，则数据线变为输入线。在适当的地址使DRAM单元中的MOS晶体管导通时，通过数据输入可以对电容器进行充电或放电。

一种增加DRAM容量的方法是减小MOS晶体管的尺寸。然而，MOS晶体管尺寸的减小产生了诸如短沟道或结泄漏的其他问题。此外，在存储器单元中使用MOS晶体管时，半导体衬底必须用于容纳其上的MOS晶体管，并且该半导体衬底必须在具有MOS晶体管的存储器单元的上阵列与下阵列之间形成。

因此需要一种用于在存储器装置中使用的改进的开关装置。

发明内容

根据本发明的示例性实施例，一种存储器装置包括存储器单元，该存储器单元包括储存节点、第一电极和第二电极，该储存节点储存电荷，并且当第二电极通电时第一电极移动从而连接至储存节点。

该存储器装置可以进一步包括衬底，在所述衬底上形成存储器单元。

第一电极可以包括垂直部、第一水平部和第二水平部，该垂直部相对于衬底基本上垂直并且第一和第二水平部相对于衬底基本上平行。

该垂直部的第一端部可以连接至第一水平部的第一端部，第一水平部的第二端部固定至在第二电极上形成的绝缘体图案，垂直部的第二端部连接至第二水平部的第一端部。

在第一电极的垂直部和储存节点与第二电极之间可以形成间隙。

当第二电极不通电时，通过该间隙使垂直部的第二端部可以与储存节点分离。

当第二电极通电时，垂直部的第二端部可以接触储存节点。

垂直部的第二端部可以朝向储存节点突出。

当施加电压时，第二电极可以通电。

储存节点可以包括电容器，第一电极包括位线，并且第二电极包括字线。

根据本发明的示例性实施例，一种存储器装置包括存储器单元，该存储器单元包括第一电极、第二电极和储存节点，通过第一间隙使第一电极与第二电极分离并且通过第二间隙使第一电极与储存节点分离，并且当第二电极通电时第一电极移动从而连接至储存节点。

第一间隙和第二间隙可以基本上相同。

第一间隙可以大于第二间隙。

根据本发明的示例性实施例，一种存储器装置包括：第一存储器单元，其包括第一字线、第一电容器以及位线；第二存储器单元，其包括第二字线、第二电容器以及位线，并且当第一字线通电时位线移动从而连接至第一电容器并且当第二字线通电时位线移动从而连接至第二电容器。

存储器装置可以进一步包括衬底，在所述衬底上形成第一存储器单元和第二存储器单元。

第一存储器单元中的位线可以包括第一垂直部，第二存储器单元中的位线包括第二垂直部，第一和第二垂直部相对于衬底的主水平面基本上垂直并且基本上相互平行。

当第一字线不通电时第一垂直部的端部可以与第一电容器分离，并且当第一字线通电时第一垂直部的端部接触第一电容器。

第一垂直部的端部可以朝向第一电容器突出。

当第二字线不通电时第二垂直部的端部可以与第二电容器分离，并且当第二字线通电时第二垂直部的端部接触第二电容器。

第二垂直部的端部可以朝向第二电容器突出。

当施加电压时，第一字线和第二字线可以通电。

在第一字线和第二字线上可以形成绝缘体图案，并且位线固定至绝缘体图案。

位线可以相对于掩模图案基本上对称。

根据本发明的示例性实施例，一种存储器装置包括衬底；电容器，其形成在衬底上，该电容器储存电荷；字线，其被设置在电容器上；以及位线，其固定至在字线上形成的绝缘体图案，通过间隔使位线与字线和该电容器分离，位线具有相对于衬底基本上垂直的垂直部，当字线通电时，位线的垂直部移动从而连接至电容器。

存储器装置可以进一步包括第一层间电介质层，其形成在字线与电容器之间。

存储器装置可以进一步包括第二层间电介质层，其形成在字线与绝缘体图案之间。