[发明专利]一种等离子体加工工艺中控制进气方式的方法无效
| 申请号： | 200910241479.7 | 申请日： | 2009-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN102087957A | 公开（公告）日： | 2011-06-08 |
| 发明（设计）人： | 张庆钊 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100026 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 等离子体 加工 工艺 控制 方式 方法 | ||
1.一种等离子体加工工艺中控制进气方式的方法，其特征在于，
在同时采用多种气体作为工艺气体的等离子体加工工艺中，工艺气体通过多个进气通道进入反应腔室，控制通过各个进气通道的工艺气体的成分，使通过至少两个进气通道的工艺气体的成分不同。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
使通过所述至少两个进气通道的工艺气体的成分部分相同。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
使通过所述至少两个进气通道的工艺气体的成分完全不同。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，
所述使通过至少两个进气通道的工艺气体的成分部分相同具体为：
使特定的一种或几种气体通过部分进气通道进入反应腔室；
使除所述特定的一种或几种气体外的其他气体通过全部的进气通道进入反应腔室。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，
所述使通过至少两个进气通道的工艺气体的成分完全不同具体为：
使特定的一种或几种气体通过部分进气通道进入反应腔室；
使除所述特定的一种或几种气体外的其他气体通过另一部分进气通道进入反应腔室。
6.根据权利要求4或5所述的方法，其特征在于，
所述特定的一种或几种气体为所述等离子体加工工艺中采用的一种或几种关键性工艺气体。
7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，
所述使特定的一种或几种气体通过部分进气通道进入反应腔室具体为：
使所述特定的一种或几种气体通过位于反应腔室的顶部中心位置的进气通道进入反应腔室。
8.根据权利要求4或7所述的方法，其特征在于，
所述等离子体加工工艺为主刻蚀；
所述特定的一种或几种气体为O2；
所述除所述特定的一种或几种气体外的其他气体为CL2、HBR、CF4。
9.根据权利要求4或7所述的方法，其特征在于，
所述等离子体加工工艺为等离子体刻蚀工艺；
所述特定的一种或几种气体为O2；
所述除所述特定的一种或几种气体外的其他气体为Cl2、HBR、CF4、He中的一种或几种。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述等离子体加工工艺为等离子体刻蚀工艺或等离子体薄膜沉积工艺。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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