[发明专利]一种高Tg高导热型铝基覆铜箔层压板

说明书

技术领域

本发明涉及一种铝基覆铜层压板，尤其是涉及一种高Tg高导热型铝基覆铜箔层压板。

背景技术

铝基覆铜箔层压板具有良好的导热性能、电气绝缘性能和机械加工性能，因此被广泛应用于汽车电子、计算机设备、通讯电子产品、电源、电子控制及LED电路板等领域，而其传统的制程是：用铝板、玻纤布半粘接片(绝缘层)以及铜箔三种材料叠书热压成型，此种方法值得的铝基覆铜箔层压板的缺陷是玻纤布的热阻大、散热性差，难以满足大功率、高散热产品的要求。

发明内容

为了克服现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种具有耐温、耐压、导热系数大的特点，并能满足大功率铝基线路板的需求的高Tg高导热型铝基覆铜箔层压板。

本发明是通过以下技术方案来实现的：

一种高Tg高导热型铝基覆铜箔层压板，包括铜泊层和铝基层，铜泊层和铝基层之间涂有绝缘层，其特征在于：所述绝缘层的组成包括环氧树脂、二甲基咪唑、丙二醇甲醚和填料，其中各组成的质量百分含量为：

环氧树脂        55～73％；

二甲基咪唑      0.06～0.20％；

丙二醇甲醚      10～22.94％；

填料            10～22％。

上述的环氧树脂为一种溴化的多官能团双组份体系的环氧树脂，其中，所述的环氧树脂的双组份为组分A和组分B，其中组分A与组分B之间的质量百分比为：1∶0.45～0.56。

上述的组分A的外观为深黄色或棕黄色液体，环氧当量为200～220g/eq，固体含量为82±1wt％，溴含量为0，粘度为2000～3000；所述的组分B的外观为浅黄色，环氧当量为0，固体含量为62±1wt％，溴含量为33.5±0.5，粘度为100～200。

上述的填料为硅微粉、氮化硼和陶瓷粉中的任一种或多种的组合，所述的硅微粉、氮化硼和陶瓷粉在填料中的质量比为：以全部填料为1，则硅微粉为0～1.0，氮化硼为0～0.3，陶瓷粉为0～1.0，而优选硅微粉为0.3～0.5，氮化硼为0～0.3，陶瓷粉为0.3～0.5。

本发明的有益效果是：本发明所述的铝基覆铜板用绝缘层材料与现有的普通型铝基覆铜板用绝缘层材料性能比较如下：

由上表可以看出：本发明所述的铝基覆铜板用绝缘层材料具有耐温、耐压、导热系数大的特点，其能够很好地满足大功率铝基覆铜板的需求。

具体实施方式

下面结合具体的实施例，详细说明本发明的具体实施方式：

一种高Tg高导热型铝基覆铜箔层压板，包括铜泊层和铝基层，铜泊层和铝基层之间涂有绝缘层，所述绝缘层的组成包括环氧树脂、二甲基咪唑、丙二醇甲醚和填料，其中各组成的质量百分含量为：环氧树脂55～73％；二甲基咪唑0.06～0.20％；丙二醇甲醚10～22.94％；填料10～22％。

上述的环氧树脂为一种溴化的多官能团双组份体系的环氧树脂，其中，所述的环氧树脂的双组份为组分A和组分B，其中组分A与组分B之间的质量百分比为：1∶0.45～0.56，且组分A的外观为深黄色或棕黄色液体，环氧当量为200～220g/eq，固体含量为82±1wt％，溴含量为0，粘度为2000～3000；所述的组分B的外观为浅黄色，环氧当量为0，固体含量为62±1wt％，溴含量为33.5±0.5，粘度为100～200。

而上述的填料为硅微粉、氮化硼和陶瓷粉中的任一种或多种的组合，其中硅微粉、氮化硼和陶瓷粉在填料中的质量比为：以全部填料为1，则硅微粉为0～1.0，氮化硼为0～0.3，陶瓷粉为0～1.0，而优选硅微粉为0.3～0.5，氮化硼为0～0.3，陶瓷粉为0.3～0.5。

实施例1：

一种高Tg高导热型铝基覆铜箔层压板，包括环氧树脂、二甲基咪唑、丙二醇甲醚和填料，其中各组成的质量百分含量为：环氧树脂55.00％，二甲基咪唑0.06％，丙二醇甲醚22.94％，填料22.00％，且环氧树脂包括组分A和组分B，其中，组分A与组分B的质量百分比为1∶0.45，而填料为100％的硅微粉。

实施例2：

一种高Tg高导热型铝基覆铜箔层压板，包括环氧树脂、二甲基咪唑、丙二醇甲醚和填料，其中各组成的质量百分含量为：环氧树脂73.00％，二甲基咪唑0.20％，丙二醇甲醚10.00％，填料17.80％，且环氧树脂包括组分A和组分B，其中，组分A与组分B的质量百分比为1∶0.50，而填料为硅微粉和氮化硼的混合物，硅微粉和氮化硼的质量百分比为0.7∶0.3。

实施例3：