[发明专利]一种原位生长Cu2ZnSnS4光伏薄膜方法无效
| 申请号： | 200910226611.7 | 申请日： | 2009-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN101805890A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 赖延清;刘芳洋;李轶;张坤;匡三双;张治安;李劼;刘业翔 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中南大学专利中心 43200 | 代理人： | 胡燕瑜 |
| 地址： | 410083*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 原位 生长 cu sub znsns 薄膜 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种原位生长Cu2ZnSnS4光伏薄膜方法，其特征在于：以硫化氢和氩气混合气体作为溅射气体，以金属铜靶、锌靶和锡靶分别作为Cu源、Zn源和Sn源，以磁控反应共溅射的方式进行薄膜的原位生长。
2.根据权利要求1所述的原位生长Cu2ZnSnS4光伏薄膜方法，其特征在于：溅射时溅射室内气体压强为0.05Pa～10Pa，溅射气体中硫化氢的体积分数为1％～100％，靶材与衬底的距离为3～15cm，衬底温度为20～700℃，并以0～100转每分钟的速率旋转，各个靶的溅射功率为15～300W。
3.根据权利要求1或2所述的原位生长Cu2ZnSnS4光伏薄膜方法，其特征在于：各个靶进行直流或射频磁控反应溅射。
4.根据权利要求1或2所述的原位生长Cu2ZnSnS4光伏薄膜方法，其特征在于：所述薄膜的厚度为0.2～5μm。
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