[发明专利]用于液晶显示设备的母基板及其制造方法有效
| 申请号: | 200910221101.0 | 申请日: | 2009-11-03 |
| 公开(公告)号: | CN101825821A | 公开(公告)日: | 2010-09-08 |
| 发明(设计)人: | 李政烨;石在明;郑在祐;崔荣锡;辛赫宰 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/133 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;王金宝 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 液晶显示 设备 母基板 及其 制造 方法 | ||
本申请要求2008年12月26日提交的韩国专利申请号10-2008-0134710的权益,在此援引该专利申请的全部内容作为参考。
技术领域
本申请涉及一种用于液晶显示设备的母基板及制造该母基板的方法,尤其涉及一种包括静电释放图案的母基板及使用该母基板制造液晶显示设备的方法。
背景技术
液晶显示(LCD)设备一般使用液晶层的液晶分子的光学各向异性和偏振特性产生图像。液晶分子具有细长形状。由于光学各向异性特性,光的偏振随液晶分子的取向方向而变化。通过改变施加给液晶层的电场强度可控制液晶分子的取向方向。因此,一般的LCD设备包括间隔开来且彼此面对的两个基板以及夹在两个基板之间的液晶层。两个基板中的每一个基板在面对两个基板中的另一个基板的表面上都包括电极。给每个电极施加电压,以在电极之间激发电场。通过改变电场强度来控制液晶分子的排列以及光透过液晶层的透射率。LCD设备是非发光型显示设备,其使用光源,利用光透射率的变化来显示图像。
在各种类型的LCD设备中,采用以矩阵结构布置的开关元件和像素电极的有源矩阵LCD(AM-LCD)设备由于具有较高的分辨率和显示运动图像的出色适宜性而成为重要研究和开发的主题。
图1是现有技术的液晶显示设备的透视图。如图1中所示,现有技术的液晶显示(LCD)设备包括第一基板10、第二基板20和液晶层30。被称作阵列基板的第一基板10包括彼此交叉以确定像素区域P的栅线14和数据线16。像素电极18和作为开关元件的薄膜晶体管(TFT)Tr位于每个像素区域P中。靠近栅极线14和数据线16的交叉点设置的TFT Tr以矩阵形式设置在第一基板10上。被称作滤色器基板的第二基板20包括:包含红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)滤色器26a、26b和26c的滤色器层26,在红色、绿色和蓝色滤色器26a、26b和26c之间的黑矩阵25,以及在滤色器层26和黑矩阵25上的公共电极28。
尽管图1中没有示出,但第一和第二基板10和20用密封图案粘结,以防止液晶层30泄漏。此外,在第一基板10与液晶层30之间形成有第一取向层,在第二基板20与液晶层30之间形成有第二取向层,以使液晶层30中的液晶分子沿初始取向方向排列。在第一和第二基板10和20的至少一个的外表面上形成有偏振片。
此外,设置在第一基板10下面的背光单元(没有示出)提供光。用于使TFT Tr导通的栅信号按顺序供给到每条栅线14,并给像素区域P中的像素电极18施加数据线16上的图像信号。通过像素电极18与公共电极28之间产生的垂直电场来驱动液晶层30中的液晶分子,以通过改变液晶分子的光透射率来显示图像。
通过阵列基板工序、滤色器基板工序和盒工序完成LCD设备。在阵列基板工序中,在第一基板10的每个像素区域P上形成像素电极11和TFT Tr;在滤色器基板工序中,在第二基板20上形成滤色器层26、黑矩阵25和公共电极28。此外,在盒工序中,粘结第一和第二基板10和20并在第一和第二基板10和20之间注入液晶分子。
为了提高生产率,通过在单个母基板上形成多个单元阵列图案并切割该单个母基板获得多个阵列基板。类似地,通过在单个母基板上形成多个单元滤色器图案并切割该单个母基板获得多个滤色器基板。因此,通过粘结多个阵列基板和多个滤色器基板,从两个母基板获得多个LCD设备。
图2是显示现有技术的母基板的平面图,图3是沿图2的线III-III的剖面图。
在图2中,在母基板50上形成多个单元阵列图案55。尽管图2中没有示出,但在每个单元阵列图案55的内部形成有栅线、数据线、薄膜晶体管(TFT)和像素电极。栅线和数据线彼此交叉,以确定像素区域,且作为开关元件的TFT与栅线和数据线连接。像素电极与TFT连接。
此外,在母基板50的边缘部分中形成具有封闭的矩形环形状并包围多个单元阵列图案55的金属图案60。金属图案60具有与栅线相同的层以及相同的材料,从而金属图案60直接形成在母基板50上。随后,在真空装置(没有示出)中在金属图案60上形成多个层,如栅绝缘层70、半导体层(没有示出)和钝化层80。
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