[发明专利]后绕线布局的光刻热点的更正方法及系统

权利要求书

1.一种后绕线布局的光刻热点的更正方法，其特征在于包含：

接受一芯片的后绕线布局的光刻检查得到若干个热点的数据；

针对该若干热点中每一个所在的局部区域内选取可改变几何尺寸或位置的至少一个二维图案，并定义该几何尺寸或位置的改变方式为若干个变化模式；

根据该若干变化模式中每一个于允许范围内的改变量，依序自一组空间图像强度的光学仿真模型单元选取若干个模型单元以合成而得对应的空间图像强度；

依照该空间图像强度的前述若干个空间图像强度值以决定该若干变化模式中每一个对应该热点的最佳变化量；以及

就该若干热点中每一个所在该局部区域的该二维图案分别取得一组最佳变化模式及各该最佳变化模式的最佳变化量。

2.根据权利要求1的更正方法，其特征在于，其另包含就该若干热点中每一个所在的局部区域执行该二维图案对应该组最佳变化模式及各该最佳变化模式的最佳变化量的步骤。

3.根据权利要求1的更正方法，其特征在于，其另包含决定该若干变化模式中每一个对应该热点的变化量后，检查该变化模式及其最佳变化量是否违反设计规则检查或布局对应于构图的步骤。

4.根据权利要求3的更正方法，其特征在于，其中当违反该设计规则检查或该布局对应于构图时，则修改该变化模式及其最佳变化量以满足该设计规则检查或该布局对应于构图的规定。

5.根据权利要求4的更正方法，其特征在于，其中该修改后的变化模式是将违反该设计规则检查或该布局对应于构图的该二维图案的部份尺寸或部份位置改变以满足该规定，又该部份尺寸或部份位置的变化量是不同于该最佳变化量。

6.根据权利要求1的更正方法，其特征在于，其中该几何尺寸的改变方式包含长度伸展、长度收缩、宽度变宽及宽度变窄。

7.根据权利要求1的更正方法，其特征在于，其中该位置的改变方式是包含两垂直方向的位移。

8.根据权利要求7的更正方法，其特征在于，其中该二维图案中每一个的最佳变化模式是指比较该若干变化模式中选出一种变化模式，其对应该热点的最佳变化量优于其它未被选出变化模式的最佳变化量。

9.根据权利要求1的更正方法，其特征在于，其中该若干变化模式中每一个对应该热点的最佳变化量是为改善该若干热点中每一个所造成的短路或线路过窄的问题。

10.一种后绕线布局的光刻热点的更正方法，其特征在于包含：

接受一芯片的后绕线布局的光刻检查后得到若干个热点的数据；

针对该若干热点中每一个所在的局部区域内选取可改变几何尺寸或位置的至少一个二维图案，并定义该几何尺寸或位置的改变方式为若干个变化模式；

根据该若干变化模式中每一个于允许范围内的改变量，依序自一组空间图像强度的光学仿真模型单元选取若干个模型单元以迭合方式合成变化后的二维图案，从而得到该若干变化模式中每一个的不同改变量对应的空间图像强度；

依照该空间图像强度的前述若干个空间图像强度值以决定该若干变化模式中每一个对应该热点的最佳变化量；以及

就该若干热点中每一个所在该局部区域的该二维图案分别取得一组最佳的变化模式及其最佳变化量。

11.根据权利要求10的更正方法，其特征在于，其中该若干变化模式中每一个的不同改变量对应的空间图像强度是由下列步骤而得：

选取该二维图案的一该变化模式并设定一改变量；

自该组光学仿真模型单元中选取数个模型单元以迭合该选取变化模式的设定改变量的二维图案；

根据前述迭合的结果以计算该改变后二维图案相对该热点的空间图像强度；

依序递变该改变量；以及

当该递变改变量已达到该允许范围，则确认完成该二维图案的该变化模式的各改变量的空间图像强度的计算。

12.根据权利要求11的更正方法，其特征在于，其中该选取数个模型单元是以相互迭加在一起或减去重迭的部分而得该选取变化模式的设定改变量的二维图案。

13.根据权利要求10的更正方法，其特征在于，其中该光学仿真模型单元是仿真不同起始值及不同宽度的二维步阶型函数的空间图像强度的结果。