[发明专利]电源分析的方法及装置无效
| 申请号： | 200910209627.7 | 申请日： | 2009-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN102054063A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 陈明奇;陈洋明;刘振伟;魏伟明 | 申请（专利权）人： | 新思科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电源 分析 方法 装置 | ||
1.一种电源分析的方法，其特征在于包含：
接收一芯片的设计数据，其中该芯片包含一个内部电源管理单元不明的电路方块，该设计数据为该电路方块的后绕线布局；
根据布局对应于构图的内容自该后绕线布局中提取出该电路方块的内部电源器件的信息；以及
根据该内部电源器件的信息，执行该电路方块的电源分析。
2.根据权利要求1的方法，其特征在于，其中该电源分析包含得到该电路方块的内部电源压降及功率消耗的步骤。
3.根据权利要求1的方法，其特征在于，其另包含整合整个芯片的内部结构，以计算出整个芯片的内部电源压降信息及功率消耗信息的步骤。
4.根据权利要求1的方法，其特征在于，其中该电源管理单元是电源闸开关。
5.根据权利要求4的方法，其特征在于，其中该电源闸开关是一多重临界电压互补金属氧化物导体(MTCMOS)电源闸开关。
6.根据权利要求1的方法，其特征在于，其中该布局对应于构图的内容自该后绕线布局中提取MTCMOS电源闸开关，以进行电源压降分析。
7.根据权利要求3的方法，其特征在于，其中该内部电源压降信息是该芯片的完整压降分布图。
8.根据权利要求3的方法，其特征在于，其另包含比较该内部电源压降及功率消耗的信息与该芯片的设计规格的步骤。
9.根据权利要求8的方法，其特征在于，其另包含根据比较的结果而更正该芯片设计的步骤。
10.一种电源分析的装置，其特征在于包含：
一电路器件提取单元，根据布局对应于构图的内容自内部电源管理单元不明的一电路方块的后绕线布局中提取出该电路方块的内部各电源器件的信息；
一电路器件构图单元，根据该内部各电源器件的信息建立该电路方块的完整设计数据；以及
一电源分析单元，执行该电路方块的电源分析。
11.根据权利要求10的装置，其特征在于，其中该电源分析单元于执行电源分析前先整合不同电路方块的内部各电路器件的信息及设计数据。
12.根据权利要求10的装置，其特征在于，其中该电源分析单元输出整个芯片的压降及功率消耗的信息。
13.根据权利要求10的装置，其特征在于，其中该电源管理单元是电源闸开关。
14.根据权利要求13的装置，其特征在于，其中该第一电路方块的电源闸开关是一多重临界电压互补金属氧化物导体电源闸开关。
15.根据权利要求12的装置，其特征在于，其中该压降信息是该芯片的完整压降分布图。
16.根据权利要求10的装置，其特征在于，其中该电路器件提取单元自该后绕线布局中提取MTCMOS电源闸开关，而由该电源分析单元进行电源压降分析。
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