[发明专利]一种于内部原位生成空隙的抛光垫及其方法

权利要求书

1.一种在CMP抛光项目中于CMP抛光垫中原位产生孔洞的方法，其特征在于，包括：

在具有抵抗摩擦侵蚀的第一抵抗能力的第一材料中渗入具有抵抗摩擦侵蚀且小于第一材料的第一抵抗能力的第二抵抗能力的第二材料，以形成包含具有两种不同摩擦侵蚀抵抗能力的材料的CMP抛光垫；

使所述CMP抛光垫的一工作表面接触要被抛光的晶圆；以及

当使抛光垫接触晶圆而进行抛光程序时，摩擦性侵蚀所述第二材料。

2.如权利要求1所述的在CMP抛光项目中于CMP抛光垫中原位产生孔洞的方法，其特征在于，所述第一材料和所述第二材料两者都为聚合材料。

3.如权利要求1所述的在CMP抛光项目中于CMP抛光垫中原位产生孔洞的方法，其特征在于，所述第一材料为聚合材料，而所述第二材料为非聚合材料。

4.如权利要求1所述的在CMP抛光项目中于CMP抛光垫中原位产生孔洞的方法，其特征在于，所述第一材料为聚氨酯材料，而所述第二材料为碳材料。

5.如权利要求4所述的在CMP抛光项目中于CMP抛光垫中原位产生孔洞的方法，其特征在于，所述碳材料为石墨。

6.如权利要求5所述的在CMP抛光项目中于CMP抛光垫中原位产生孔洞的方法，其特征在于，所述碳材料具有高石墨化程度。

7.如权利要求1所述的在CMP抛光项目中于CMP抛光垫中原位产生孔洞的方法，其特征在于，所述第一材料和所述第二材料都为非聚合材料。

8.如权利要求1所述的在CMP抛光项目中于CMP抛光垫中原位产生孔洞的方法，其特征在于，所述第二材料侵蚀成至少小于约20微米的厚度的片体。

9.如权利要求8所述的在CMP抛光项目中于CMP抛光垫中原位产生孔洞的方法，其特征在于，所述第二材料在CMP抛光项目中当其摩擦性侵蚀时提供润滑作用。

10.如权利要求1所述的在CMP抛光项目中于CMP抛光垫中原位产生孔洞的方法，其特征在于，一旦形成孔洞，所形成的孔洞保持液体抛光材料

11.一种在CMP抛光项目中于CMP抛光垫中原位产生有效的孔洞的方法，其特征在于，包括：

在聚氨酯中渗入石墨颗粒或团聚物，以形成一CMP抛光垫；

使所述CMP抛光垫的一工作表面接触要被抛光的晶圆；

引入一化学抛光剂在至少部分的工作表面上；以及

当使抛光垫接触晶圆而进行抛光程序时，摩擦性侵蚀所述石墨，以使得石墨的侵蚀在所述抛光垫中产生有效的孔洞。

12.一种用以抛光晶圆的工具，其特征在于包括：

适合形成一CMP抛光垫且具有抵抗摩擦侵蚀的第一抵抗能力的第一材料，所述的第一材料形成部分的CMP抛光垫；以及

分散于所述第一材料中的第二材料，所述的第二材料具有抵抗摩擦侵蚀的第二抵抗能力，所述第二抵抗能力小于所述第一材料的第一抵抗能力，且在摩擦性接触晶圆的后配置为依照抵抗摩擦侵蚀不同的抵抗能力而选择性地侵蚀，使得这种侵蚀在固体基材中留下有效的孔洞空隙。

13.如权利要求12所述的用以抛光晶圆的工具，其特征在于，所述第一材料和第二材料两者都为聚合材料。

14.如权利要求12所述的用以抛光晶圆的工具，其特征在于，所述第一材料为聚合材料，而第二材料为非聚合材料。

15.如权利要求12所述的用以抛光晶圆的工具，其特征在于，所述第一材料为聚氨酯材料，而第二材料为碳材料。

16.如权利要求15所述的用以抛光晶圆的工具，其特征在于，所述碳材料为石墨。

17.如权利要求16所述的用以抛光晶圆的工具，其特征在于，所述碳材料具有高石墨化程度。

18.如权利要求17所述的用以抛光晶圆的工具，其特征在于，所述石墨包含在所述CMP抛光垫中，且具有从约0.1vol％至约20vol％的体积。

19.如权利要求12所述的用以抛光晶圆的工具，其特征在于，所述第一材料和所述第二材料两者都为非聚合材料。

20.如权利要求12所述的用以抛光晶圆的工具，其特征在于，所述第二材料以一预先决定的配置分散于所述第一材料中。